HF115F/005-2ZS4 继电器产品概述

一、基本参数

HF115F/005-2ZS4 为宏发（HF）生产的双刀双掷（2C，双刀双掷-转换）通用继电器，封装为 DIP（尺寸约 29 × 12.7 mm），引脚数 8。线圈额定电压 5V，线圈电阻 62Ω（线圈电流约 80 mA，线圈功率约 400 mW）。触点材料 AgCdO，触点电阻 ≤100 mΩ，最大切换电流 8A，触点容量（电阻负载）8A@250VAC。工作温度范围 -40℃ ~ +85℃，动作时间 15 ms，释放时间 8 ms。最大可切换电压为 440V AC、300V DC。

二、主要特性

• 双刀双掷（DPDT）转换触点，适合需要双路隔离或切换的电路。
• 低功耗线圈（≈400 mW），驱动电流约 80 mA，便于 MCU 或中小功率驱动器直接驱动（建议使用驱动管或驱动芯片）。
• AgCdO 触点具有良好的耐电弧性能，适合频繁切换交流负载。
• 宽工作温度范围，适应工业级应用环境。

三、电气与机械要点

• 触点容量：8A@250VAC（电阻性负载），最大切换电流 8A；切换电压上限 440VAC / 300VDC。
• 线圈特性：5V DC，62Ω，动作时间 15 ms，释放时间 8 ms。线圈标注为“无极性”，对线圈极性不敏感，但若并联整流抑制器（例如二极管）则需注意极性问题。
• 触点电阻 ≤100 mΩ，适合低压信号与中等功率负载。

四、典型应用场景

• 家用电器控制、继电保护与电源切换。
• 工业控制与自动化设备中的开关模块。
• 通信设备、仪表及测试设备的电路切换。
• 小功率电机、加热器等交流负载的控制（在额定条件下使用）。

五、使用与选型建议

• 驱动：线圈电流约 80 mA，建议用 NPN/PNP 或 MOSFET 驱动器，并配置适当的基/栅极限流电阻。
• 抑制：为保护驱动电路，应对线圈采用反向二极管（若电路允许极性）或 RC/TVS 吸收器，控制释放时间和抑制反向过冲。
• 负载匹配：对于感性负载（电机、继电线圈等），应考虑并联吸收电路或使用更高容量的继电器以降低触点烧蚀。
• 环境：在高湿、高污染环境下应加保护罩或采取防尘措施，以延长触点寿命。

六、封装与焊接注意

• 封装为通孔 DIP，安装方便且适合批量波峰/手工焊接。建议遵循通孔元件的焊接温度曲线，避免过热导致线圈或塑料件变形。
• 安装时注意引脚定位与 PCB 孔位一致，焊接后检查机械可靠性与焊点质量。

七、可靠性与合规性提示

• AgCdO 含镉，具有良好电弧耐受性，但在某些区域与标准（如严格的 RoHS 要求）可能需确认合规性与替代型号。
• 电气与机械寿命请以厂家数据表为准；在高频率切换或高感性负载下应提前做耐久性测试。

八、小结

HF115F/005-2ZS4 是一款通用型 DIP 封装 DPDT 继电器，适合中等电流（8A）交流/直流负载的开关控制。其低功耗线圈、较快的动作/释放时间以及 AgCdO 触点使其在家电、工业控制和仪表等场景中具有良好适用性。选型时应注意负载类型、驱动方式及合规性要求，必要时与供应商确认详细寿命与环境测试数据。