型号:

UMP11NTN

品牌:ROHM(罗姆)
封装:SOT-363
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
UMP11NTN 产品实物图片
UMP11NTN 一小时发货
描述:开关二极管 2对共阳极 1.2V@100mA 80V 100mA
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.406617
3000+
0.4
产品参数
属性参数值
二极管配置2对共阳极
正向压降(Vf)1.2V@100mA
直流反向耐压(Vr)80V
整流电流100mA
耗散功率(Pd)200mW
反向电流(Ir)100nA@70V
反向恢复时间(Trr)4ns
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)4A

UMP11NTN 产品概述

一、概述

UMP11NTN 是 ROHM(罗姆)推出的一款小信号开关二极管,内部为两对共阳极(共阳)结构,封装为 SOT-363,专为高速开关与低功耗应用设计。器件在 100mA 工作点下正向压降仅 1.2V,反向耐压达 80V,兼顾开关速度与高压耐受能力,适合空间受限的消费电子和通信终端应用。

二、主要参数

  • 二极管配置:2 对共阳极(2 pairs, common anode)
  • 正向压降:Vf = 1.2V @ IF = 100mA
  • 额定整流电流:IO = 100mA(直流)
  • 非重复峰值浪涌电流:Ifsm = 4A(单脉冲)
  • 直流反向耐压:Vr = 80V
  • 反向电流:Ir = 100nA @ 70V
  • 反向恢复时间:Trr = 4ns
  • 功耗耗散:Pd = 200mW
  • 封装:SOT-363(小型表面贴装)

三、特性与优势

  • 低正向压降与低漏电流:在 100mA 工作点下 Vf 仅 1.2V,反向漏电小(100nA@70V),有利于减少静态损耗与提高系统效率。
  • 快速恢复:Trr = 4ns,适合高频开关、信号整形与脉冲切换场景,能有效降低反向恢复造成的开关损耗与干扰。
  • 良好耐压与冲击能力:80V 的反向耐压和 4A 的单次浪涌能力,使其在需要一定电压裕度和瞬态容忍的电路中更可靠。
  • 紧凑封装:SOT-363 适用于高密度 PCB 布局,有利于便携设备和模块化设计的体积控制。

四、典型应用

  • 高速开关电路与逻辑接口保护
  • 脉冲整形、取样保持与混合信号开关阵列
  • 通信设备中的收发保护与电平转换
  • 小功率整流与钳位电路(需注意功耗与散热限制)
  • 消费类便携设备中的保护与开关元件

五、封装与布板建议

  • 尽量靠近驱动或被保护引脚放置,缩短走线以降低寄生电感与提高开关速度。
  • SOT-363 为微型封装,热阻相对较高,若在较大直流电流或频繁浪涌场景使用,应评估 PCB 铜箔面积以帮助散热。
  • 贴片回流焊时遵循厂家推荐的温度曲线,避免超温或长时加热导致封装应力。

六、选型与可靠性

UMP11NTN 适合对开关速度、体积和中等电压耐受有要求的场合;若需更低正向压降(例如对效率极为敏感的整流场合)可考虑肖特基类型;若需更高电流能力或更高功耗耗散,应选择更大封装或专用功率二极管。推荐在设计前查看 ROHM 的完整数据手册以获取温度特性、极限电气参数及可靠性测试数据,确保在目标工况下具有足够裕量。