型号:

GC3D06060A

品牌:SUPSiC(国晶微半导体)
封装:TO-220-2
批次:25+
包装:管装
重量:-
其他:
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2.16
1000+
2
产品参数
属性参数值
整流电流19A
正向压降(Vf)1.7V@6A
直流反向耐压(Vr)600V
反向电流(Ir)33uA@600V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)63A
工作结温范围-55℃~+175℃

GC3D06060A 产品概述 — SUPSiC (国晶微半导体)

一、产品简介

GC3D06060A 是国晶微半导体(SUPSiC)推出的一款600V级碳化硅(SiC)肖特基整流二极管,采用 TO-220-2 封装,面向中高功率开关电源及电力电子系统。器件能在高结温下稳定工作,兼具低正向压降与极低反向漏电特性,适合替代传统硅整流器以降低导通损耗和开关损耗。

二、主要参数

  • 品牌:SUPSiC(国晶微半导体)
  • 型号:GC3D06060A
  • 直流整流电流(If):19A
  • 直流反向耐压(Vr):600V
  • 正向压降(Vf):1.7V @ 6A
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):63A
  • 反向电流(Ir):33μA @ 600V
  • 工作结温范围:-55℃ ~ +175℃
  • 封装:TO-220-2(易于散热安装)

三、特性与优势

  • 低正向压降:Vf≈1.7V(6A),在中高电流下显著降低导通功耗,提升效率。
  • 高温工作能力:结温最高175℃,适应高温工作环境与紧凑散热设计。
  • 低反向漏流:在600V下仅33μA,利于高压回路的稳态能耗控制。
  • 强抗浪涌:Ifsm=63A,可承受短时冲击性过流。
  • 快速开关:肖特基结构几乎无反向恢复,减少开关损耗与系统电磁干扰(EMI)。

四、封装与热管理

TO-220-2 封装便于通过后挂片或螺栓固定至散热器,实现低热阻路径。建议:

  • 在高电流应用中配合合适尺寸散热器或风冷,以保持结温在安全范围内。
  • 采用良好导热界面材料并确保紧固力矩均匀,减少热阻。
  • PCB布局时将大铜面积热滩与散热孔结合,利于整体散热。

五、典型应用场景

  • 开关电源整流与自由轮回路(SMPS、PFC)
  • 太阳能逆变器及充电桩整流前端
  • 不间断电源(UPS)与备用电源系统
  • 工业电机驱动与电源模块
  • 电动汽车车载充电器与DC-DC变换器

六、使用建议与可靠性注意事项

  • 为保证长期可靠性,应为器件留出足够的电压裕量,应对开路瞬态尖峰(可并联TVS等抑制器)。
  • 并联使用时需注意电流均衡与热均衡,建议串联小阻值或使用匹配器件并确保同一散热条件。
  • 焊接与回流工艺应遵循 TO-220 的温度曲线,避免长期高温导致器件热应力。
  • 在关键系统中建议做热仿真与实际测温验证,确保结温不超过规格上限。

GC3D06060A 以其高温稳定性、低导通损耗与良好浪涌能力,是提升中高压电力电子效率与可靠性的优选器件。若需进一步的典型曲线、热阻数据或封装引脚图,可索取详细数据手册以便设计审核。