GC3M0075120D 产品概述

一、产品概述

GC3M0075120D 为 SUPSiC（国晶微半导体）推出的一款高电压单晶硅碳化硅（SiC）N沟道功率MOSFET，采用 TO-247-3 封装。器件设计以高耐压、低开关损耗与高温稳定性为目标，适用于要求严格的中高压功率变换场景。

二、主要参数

• 类型：N沟道 MOSFET
• 漏源耐压 Vdss：1.2 kV
• 连续漏极电流 Id：32 A
• 耗散功率 Pd：136 W
• 阈值电压 Vgs(th)：2.5 V
• 导通电阻 RDS(on)：75 mΩ @ Vgs=15 V
• 总栅极电荷 Qg：54 nC
• 输入电容 Ciss：1.39 nF
• 输出电容 Coss：58 pF
• 反向传输电容 Crss：2 pF
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +175 ℃
• 封装：TO-247-3

三、关键特性与优势

• 高耐压（1.2 kV）：适合 800 V 以上的直流母线及中高压拓扑。
• 低导通电阻：75 mΩ 在 15 V 门极驱动下提供较低导通损耗，配合合适散热可支持较大持续电流。
• 低寄生电容（Coss/Crss）：58 pF / 2 pF 有利于减少开关损耗与开关应力，提高开关效率。
• 宽工作温度：最高工作温度可达到 175 ℃，增强系统可靠性与热裕度。
• 中等栅极电荷（54 nC）：在兼顾开关速度与驱动能耗之间达到平衡。

四、典型应用

• 光伏逆变器、中高压变流器
• 工业电源与无间断电源（UPS）
• 电动车充电桩、高压电源模块
• 高频高效开关电源与电机驱动系统

五、设计与使用建议

• 驱动：建议采用 ±15 V 级的门极驱动器，确保 Vgs 在额定值下稳定工作。Qg=54 nC 表明需考虑驱动器的峰值电流与功耗。
• 散热：TO-247-3 封装需配合合适散热器或水冷系统，Pd=136 W 为器件热设计上限，应根据实际工况计算结壳温升。
• 布局与抑振：高速切换特性对寄生电感敏感，建议优化布局、使用吸收/缓冲网络以降低过冲与振铃。
• 安全保护：建议配合过流、过温、软关断或能量钳位电路，因器件的能量吸收能力与浪涌承受限于具体应用条件。

六、总结

GC3M0075120D 以其 1.2 kV 的高耐压性能、较低的开关寄生参数和宽温度适应能力，适合用于要求高效率、高可靠性的中高压功率电子系统。在系统设计中需重视门极驱动能力与热管理，以发挥器件的最佳性能与长期可靠性。