GC3M0065090D 产品概述

一、概要说明

GC3M0065090D 是 SUPSiC（国晶微半导体）推出的一款单通道 N 沟道碳化硅（SiC）功率 MOSFET，额定漏源电压 Vdss 900V，连续漏极电流 Id 36A。器件面向高压、高频、高效率的电力电子应用设计，典型封装为 TO-247-3，适合需要可靠热散布与易于装配的中大功率方案。

二、主要电气参数

• Vdss：900V
• 连续漏极电流 Id：36A
• 最大耗散功率 Pd：125W（封装相关，需结合散热条件）
• 导通电阻 RDS(on)：65mΩ @ Vgs=15V
• 门极阈值 Vgs(th)：2.1V
• 总栅极电荷 Qg：71nC
• 输入电容 Ciss：760pF；输出电容 Coss：66pF；反向传输电容 Crss：5pF
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

以上参数表明该器件在 900V 级别具有较低的导通损耗与适中的开关性能，Ciss 与 Qg 要求驱动器具备足够驱动能力。

三、性能特点与优势

• 高耐压（900V）适应高压直流链路与吉格级拓扑。
• SiC 材料天生载流子迁移率与耐高温性优秀，可在高结温下保持稳定工作。
• 低 Coss 与极小 Crss 有利于降低开关损耗和米勒引起的误触发，提高开关速度与效率。
• TO-247-3 封装便于散热器安装与生产装配，利于中大功率模组化设计。

四、典型应用场景

• 高功率因数校正（PFC）与固态开关电源（SMPS）
• 光伏逆变器与储能变换器
• 不间断电源（UPS）与工业电机驱动（在适配驱动策略下）
• 电动汽车充电桩及其他 900V 级电力电子系统

五、驱动与系统集成建议

• 推荐门极驱动电压 12~15V，以达到标称 RDS(on)；注意避免超过器件最大 Vgs 规格。
• 由于 Qg=71nC，驱动器需具备较大瞬态电流能力以实现快速开关，同时降低功耗与延迟。
• 严格控制器件及 PCB 布线的寄生电感，采用短而粗的门极回路、合理的去耦与栅电阻优化波形与 EMI。
• 开关过程中建议使用适当的吸收/缓冲电路（如 RCD 或有源钳位）以保护器件免受过电压冲击。

六、热管理与可靠性注意

• 虽然 Pd=125W，但实际可用散热能力强烈依赖散热器、接触热阻与环境散热条件，设计时需留足热裕量并参考温升曲线。
• TO-247 的螺栓安装应使用均匀扭矩与绝缘层（若需绝缘），并注意导热界面材料的选择与寿命。
• 器件为敏感半导体元件，应采取防静电措施；在焊接与回流工艺中遵循厂方推荐的温度循环与峰值温度限制。

七、选型与使用提示

• 若系统对开关损耗与 EMI 有更高要求，可通过调整栅阻、优化死区时间与采用软开关策略降低损耗。
• 与同类产品比对时，可关注 RDS(on) 与 Coss 的综合折中来平衡导通与开关损耗，以及 Qg 对驱动功率的影响。
• 在并联使用时需注意分流不均与热耦合，必要时加入源电阻或平衡网络以保障可靠性。

八、结论

GC3M0065090D 以 900V 耐压、36A 电流能力与 SiC 的高频低损特性，适合面向高压、高效率电力电子应用的中高功率解决方案。采用时应重视栅驱能力、寄生参数控制与热管理设计，以发挥 SiC 器件的性能优势并确保长期可靠性。