型号:

GC3D10060A

品牌:SUPSiC(国晶微半导体)
封装:TO-220-2
批次:25+
包装:管装
重量:-
其他:
GC3D10060A 产品实物图片
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商品单价
梯度内地(含税)
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2.59
1000+
2.47
产品参数
属性参数值
整流电流30A
正向压降(Vf)1.5V
直流反向耐压(Vr)600V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)90A
工作结温范围-55℃~+175℃

GC3D10060A 产品概述

一、产品简介

GC3D10060A 是国晶微半导体(SUPSiC)推出的一款 600V 等级碳化硅(SiC)肖特基整流二极管,采用 TO-220-2 封装,面向中高功率开关电源、逆变器和整流应用。器件以高温可用性、低正向压降和优良的浪涌承受能力为特色,适合在要求高效率、体积小、散热受限的场合替代传统硅整流器件。

二、主要规格

  • 工作结温范围:-55℃ ~ +175℃
  • 直流额定整流电流:30A(平均整流电流)
  • 直流反向耐压(Vr):600V
  • 正向压降(Vf):约 1.5V(典型值,视工作电流而定)
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):90A
  • 品牌:SUPSiC(国晶微半导体)
  • 封装:TO-220-2

三、核心优点

  • 低正向压降:在同等电流下 Vf 明显低于普通硅二极管,降低导通损耗,提高系统效率。
  • 宽温度窗口:允许器件结温工作至 175℃,提高可靠性并减少对外部冷却的依赖。
  • 高浪涌能力:90A 的非重复峰值浪涌电流,能承受启动和故障瞬态电流冲击。
  • 高频性能好:SiC 肖特基本质上无反向恢复,适合高开关频率的电源设计,减少开关损耗和 EMI。

四、封装与热管理

TO-220-2 封装便于安装在常见散热器上。尽管 SiC 具有较高的热稳定性,但在 30A 等级连续负载下仍需合理散热设计:

  • 建议使用合适的散热片或强制风冷,必要时采用绝缘垫片与导热胶安装。
  • 在高结温或高功率工况下应参照器件数据手册进行温度降额与散热计算,保证结温不超过额定上限。

五、典型应用

  • 开关电源整流(主整流、二次整流)
  • PFC(功率因数校正)电路
  • 太阳能逆变器、光伏整流器
  • 电动车充电桩与车载充电系统
  • 工业驱动、UPS 与通信电源

六、使用与注意事项

  • 选型时留有足够的电压裕量,考虑浪涌与抖动带来的瞬态超压。
  • 虽然 SiC 肖特基反向恢复极小,但快速开关可能产生较高 dv/dt,应合理布局以降低寄生电感与 EMI。
  • 在高温长期工作时,注意与封装/焊接相关的机械应力与热循环对可靠性的影响。
  • 推荐在电路中配合适当的输入滤波和过压保护(如 TVS)以防止尖峰损伤。

七、可靠性与测试

GC3D10060A 的宽温工作范围和高浪涌承受能力使其在工业级环境下表现出较好的稳定性。具体的寿命与可靠性参数(如热阻、漏电随温度上升的变化、寿命测试结果)应以官方数据手册与认证报告为准,设计时建议参考厂方提供的应用指导与可靠性试验数据进行验证。

总结:GC3D10060A 以 600V 耐压、30A 连续电流和 1.5V 典型正向压降为核心参数,结合 SiC 器件的高温与高频优势,适合追求高效率、小体积与高可靠性的电力电子系统。购买与设计前请参阅完整数据手册以获得详尽电气特性与热性能曲线。