ES1J 快恢复/高效率二极管 产品概述

一 基本参数

ES1J 为晶导微电子出品的独立式快恢复高效率整流二极管，封装为 SMA（表面贴装）。主要电气参数：正向压降 Vf = 1.7V @ 1A，直流反向耐压 Vr = 600V，整流电流 IF(DC) = 1A，非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 30A，反向电流 Ir = 5µA @ 600V，反向恢复时间 Trr = 35ns，工作结温范围 Tj = -55℃ ~ +150℃。

二 特性与优势

• 快恢复特性（Trr≈35ns）：在开关电源和高频变换中能有效降低开关损耗与电磁干扰，相比传统慢恢复二极管效率更高。
• 高耐压（600V）：适用于较高直流母线电压场合，如中小功率开关电源、逆变器边缘保护等。
• 低静态漏电（Ir 5µA）：在高耐压状态下泄漏电流小，有利于保持系统静态功耗低。
• SMA 封装：体积小、焊接可靠，适合自动贴装与密集布局。

三 典型应用

• 开关电源（SMPS）整流与续流二极管
• 逆变器与功率变换器的自由轮回/吸收回路
• 功率适配器、LED 驱动、工业电源
• 极性保护、浪涌吸收与整流模块

四 设计与热管理建议

ES1J 在 1A 连续工况下正向损耗约为 1.7W（P = Vf × IF），在高功率或持续高占空比场合需注意 PCB 散热：扩大焊盘面积、使用热铜填充或下层散热金属，避免长期工作点接近结温上限。反向漏流会随温度上升增大，设计时预留裕量并进行温升测试。

五 选型与注意事项

• 若需要更低正向压降可考虑肖特基，但肖特基耐压通常低于 600V；若需求更快恢复时间且波形严苛，可选超快恢复或软恢复型号。
• 开关频率和波形对 Trr 敏感，频率越高、 dv/dt 越大时对恢复特性要求越高。
• 焊接时遵循封装的焊接温度曲线与回流规范，避免过热和机械应力损伤。

六 封装与可靠性

SMA 封装适合自动化贴装与高密度电路板。ES1J 设计满足常见工业级温度范围（-55℃~150℃），在可靠性设计时建议按功率和结温进行适当降额以延长寿命。购买时确认批次与出厂检验报告以确保一致性。

如需样片参数曲线、典型应用电路或 PCB 焊盘建议图，可提供进一步资料和参考图档。