型号:

MMBD914

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
MMBD914 产品实物图片
MMBD914 一小时发货
描述:开关二极管 独立式 1.25V@150mA 100V 300mA
库存数量
库存:
7044
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.082944
3000+
0.06588
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流300mA
耗散功率(Pd)350mW
反向电流(Ir)1uA@75V
反向恢复时间(Trr)4ns
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)500mA

MMBD914 产品概述

一、产品简介

MMBD914 是 CJ(江苏长电/长晶)生产的一款独立式开关二极管,采用 SOT-23 封装,针对高速开关和小信号整流应用优化。器件在中低电流工作点具有较低的正向压降和快速的反向恢复特性,适合便携式电源、信号整形及保护电路中作为开关或整流元件使用。

二、主要参数

  • 正向压降 (Vf):1.25 V @ 150 mA
  • 直流反向耐压 (Vr):100 V
  • 整流电流:300 mA(连续工作)
  • 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):500 mA
  • 反向电流 (Ir):1 µA @ 75 V
  • 反向恢复时间 (Trr):4 ns(高速开关特性)
  • 耗散功率 (Pd):350 mW
  • 封装:SOT-23
    以上参数为典型或额定值,设计时应参考器件数据手册进行裕度设计。

三、性能特点

  • 低正向压降:在 150 mA 工作点 Vf≈1.25 V,有利于降低导通损耗和电压跌落。
  • 高反向耐压:100 V 的反向耐压使其可用于较高电压的阻断场合。
  • 快速恢复:4 ns 的反向恢复时间适合开关频率较高的电路,减少开关损耗与反向恢复引起的尖峰。
  • 低漏电流:在 75 V 时 Ir≈1 µA,适合对漏电有限制的高压应用。
  • 紧凑封装:SOT-23 有利于高密度 PCB 布局与自动贴装。

四、典型应用

  • 开关电源中的快恢复整流或钳位二极管
  • 逆变/驱动电路的吸收/钳位元件
  • 信号整形、取样与脉冲整流电路
  • 交流/直流小电流保护与堵截应用
  • 便携设备与工业控制中对体积与速度有要求的场合

五、封装与热管理

SOT-23 封装体积小,但热阻相对较高。器件耗散功率 Pd 为 350 mW,实际散热能力与 PCB 铜箔面积、铺铜与通孔情况密切相关。建议:

  • 在正向或高频开关应用中进行功耗估算并留有裕量;
  • 采用较大面积的散热铜箔并使用接地或电源平面以降低结-环境热阻;
  • 若工作电流接近额定整流电流或环境温度较高,应进行降额使用或选择散热更好的封装/器件。

六、使用建议与注意事项

  • 在应用中应避免长时间接近 Ifsm 或 Pd 极限,短时浪涌可承受 500 mA,但需考虑封装热滞与重复应力;
  • 高频开关环境下应注意反向恢复造成的电磁干扰,配合适当的阻尼网络或 RC 抑制措施;
  • 对于高压阻断场合,注意沿面爬电与 PCB 间距,保证可靠耐压;
  • 推荐在设计阶段参考 CJ 官方器件数据手册,核实典型曲线、最大额定值及封装引脚定义以确保正确接线与可靠性。

综上,MMBD914 以其低 Vf、100 V 阻断和 4 ns 快速恢复等特性,适合空间受限且需高速开关或小信号整流的电子系统。