型号:

PZT3904

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-223-3
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
PZT3904 产品实物图片
PZT3904 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1W 40V 200mA NPN
库存数量
库存:
702
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.22788
2500+
0.1998
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE)40@0.1mA,1V
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@50mA,5mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN

PZT3904 产品概述

一、主要特性

PZT3904 是 CJ(江苏长电/长晶)出品的一款小功率通用 NPN 晶体管,额定集电极电流 Ic=200mA,集射极击穿电压 Vceo=40V,耗散功率 Pd=1W。器件在低电流工作点具有稳定的直流电流增益:hFE ≈ 40(测量条件 0.1mA、Vce=1V)。典型特征频率 fT 达到 300MHz,适合中高速开关与小信号放大应用。

二、典型电气参数

  • 晶体管类型:NPN,单只器件
  • 集电极电流(Ic):200mA(最大)
  • 集射极击穿电压(Vceo):40V
  • 直流电流增益(hFE):40 @ 0.1mA, 1V
  • 集电极截止电流(Icbo):50nA(典型/最大量级)
  • 射基极击穿电压(Vebo):6V
  • 集—射极饱和电压(VCE(sat)):约300mV(在 50mA 或 5mA 条件下)
  • 耗散功率(Pd):1W
  • 工作温度范围:-55℃ ~ +150℃

三、封装与热管理

PZT3904 采用 SOT-223-3 封装,具有良好的散热路径和便于手工或贴片装配的引脚布局。尽管 Pd=1W,但在 2 垫焊接板和合适散热铜箔的条件下能有效提升热性能;在无额外散热时应避免长期大电流工作以防热失效。

四、典型应用场景

适合做小信号放大、驱动级、开关管、逻辑接口提升、电源管理与保护电路等。由于 fT=300MHz 和较低的饱和压降,亦可用于高速脉冲驱动和射频前端的中低功率放大。

五、使用与焊接建议

为保证长期可靠性,焊接时建议遵守 SOT-223 温度曲线,避免长时间高温暴露。电路设计中应注意基极限流与保护,避免 Vebo 超过 6V。如需长时间在大电流或高功耗工况运行,应配合散热铜箔或金属散热片,使结温保持在安全范围内。

六、总结

PZT3904 以其平衡的电流能力、较高的频率特性和耐温范围,适合多种通用电子设计,尤其在功率与散热受限的便携或嵌入式设备中表现优良。若需样片或批量采购,请参考厂商数据手册获取更详尽的极限值与测试曲线。