B772M 产品概述

一、产品简介

B772M 是江苏长电（CJ）生产的一款中低压大电流 PNP 晶体管，封装为 TO-252-2L（DPAK），适用于表面贴装的功率放大与开关场合。器件额定集电极电流可达 3A，耗散功率 1.25W，兼顾开关速度与线性性能，适合空间有限但要求可靠散热的应用。

二、主要参数

• 晶体管类型：PNP（单只）
• 直流电流增益 hFE：60（条件：IC=1A、VCE=2V）
• 集电极电流 IC：3A（最大额定）
• 集电极-发射极击穿电压 VCEo：30V
• 耗散功率 Pd：1.25W（环境与 PCB 散热条件下）
• 集电极截止电流 Icbo：≤1µA（典型）
• 射基极击穿电压 Vebo：6V（最大）
• 集电极-发射极饱和压 VCE(sat)：≤500mV（条件示例：IC=2A、IB=0.2A）
• 特征频率 fT：≈80MHz
• 工作温度范围：-55℃ ～ +150℃
• 封装：TO-252-2L（DPAK）

三、典型应用

• 高频率小功率放大器与驱动级（fT 约 80MHz）
• PNP 高侧开关与电源管理电路（30V 额定）
• 音频输出级与前置放大器（中等功率）
• 小型继电器/继电器驱动、电机驱动的推挽互补电路
• 需要表面贴装封装且有散热需求的工业及汽车电子（注意温度规格）

四、使用与注意事项

• 饱和驱动：若要求低 VCE(sat)，建议采用强驱动（典型给出 IB≈0.2A 对应 IC=2A），驱动器需能提供足够基极电流。
• 热管理：Pd=1.25W 项目依赖于 PCB 铜箔的散热能力，使用时应在 PCB 端加大散热铜箔并靠近地/电源平面；高环境温度下应按数据手册的温度降额曲线处理。
• 极限电压与反向基极保护：Vebo=6V，避免对基-射结施加过高反向电压以免损坏。VCEo=30V，请勿超过此极限。
• 泄漏电流随温度上升：Icbo 在高温时可能显著上升，影响静态偏置和小信号性能，需在设计时留有裕量。
• 焊接与可靠性：遵循 TO-252 封装的回流焊工艺与厂家推荐的焊盘布局，避免热应力过大。

五、封装与热管理建议

TO-252-2L（DPAK）为表面贴装功率封装，安装时建议：

• 在 PCB 底部和引脚附近设计尽可能大的散热铜箔，并与多层板的电源/地平面热连接；
• 放置在靠近散热通道的位置，避免被贴片和其他器件包围；
• 如果需要持续大电流工作，考虑外加散热片或改用更大功耗封装的互补型号。

六、选型建议

若电路需更高耗散或更高耐压，请选择 Pd 更大或 Vceo 更高的器件；若用于推挽输出，可配对使用特性相近的 NPN 对偶器件以获得对称的驱动性能。设计时以最大工作电流、开关/线性区损耗与 PCB 散热能力为主轴，参考原厂详细数据表进行最终验证。

总结：B772M 是一款面向中低压、中等电流的 PNP 功率晶体管，凭借 3A 电流能力与 80MHz 的 fT，在开关与小功率放大器中都有良好适用性。合理的基极驱动与 PCB 散热是确保长期可靠工作的关键。