LM358N 产品概述

一、概述

LM358N 是一款通用型双运算放大器，由华冠（HGSEMI）提供，封装为 DIP-8。器件支持宽电源电压，能在单电源或双电源工况下工作，适用于低功耗、低频放大与信号调理场合。器件输入电压范围宽、静态电流低，兼顾通用性与成本效益，常用于传感器前端、滤波器、信号缓冲与比较放大等系统。

二、主要技术参数

• 共模抑制比（CMRR）：80 dB
• 最大电源电压（VDD–VSS）：36 V
• 单电源工作范围：3 V ~ 36 V
• 双电源范围：VEE ~ VCC = −18 V ~ +18 V
• 输入失调电压（Vos）：典型 7 mV
• 输入偏置电流（IB）：约 250 nA
• 输入失调电流（IOS）：约 5 nA
• 增益带宽积（GBP）：1.2 MHz
• 静态电流（Iq）：约 800 μA（整片）
• 输出驱动电流：最大约 30 mA
• 工作温度范围：0 ℃ ~ +70 ℃
• 放大器通道数：双路（2/芯片）
• 封装：DIP-8

三、核心特性

• 宽电源范围，支持低压单电源系统（≥3 V），也可用于±18 V 的双电源。
• 低静态功耗，适合对功耗敏感的便携或长期运行系统。
• 输入偏置与失调较小，便于在精确信号放大场合减少误差。
• 增益带宽适于低频至中频放大，1.2 MHz GBP 适合音频、慢变传感信号处理。
• 输出驱动能力良好（约30 mA），能直接驱动小型执行器或LED负载，但高驱动场合需加外部驱动。

四、典型应用

• 传感器信号调理（温度、压力、光电等）
• 有源滤波与积分/微分电路
• 电平检测、比较放大（非高精度比较器）
• 仪表放大器前端（配合差分结构）
• 低速数据采集与缓冲放大

五、封装与实用建议

• 封装为 DIP-8，便于面包板原型开发与插座替换。
• 电源旁须并联去耦电容（如 0.1 μF 与 10 μF）以抑制电源噪声与瞬态。
• 对于高精度应用，建议在输入端使用短走线与屏蔽，并在必要处添加偏置与温漂补偿。
• 输出驱动接近极限电流时注意功耗与发热，必要时采用散热或外接功率放大级。

LM358N（HGSEMI/华冠）以其稳定的通用性能与易用性，适合教学、原型以及大量工业电子设备的低成本信号处理场合。