型号:

LM393N

品牌:HGSEMI(华冠)
封装:DIP-8
批次:两年内
包装:管装
重量:-
其他:
LM393N 产品实物图片
LM393N 一小时发货
描述:双路差动比较器
库存数量
库存:
1562
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.356
2000+
0.322
产品参数
属性参数值
比较器数双路
输入失调电压(Vos)2mV
输入偏置电流(Ib)100nA
输出类型开漏
静态电流(Iq)600uA
工作温度0℃~+70℃
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
单电源2V~32V
双电源(Vee ~ Vcc)±16V
输入失调电流(Ios)5nA

LM393N 产品概述

一、概述

LM393N(HGSEMI 华冠品牌,DIP-8 封装)是一款双路差分比较器,输出为开漏(Open-Collector)结构,适用于电平检测、限幅、过欠压保护、脉冲整形与模拟信号比较等多种场合。器件支持单电源和双电源工作:单电源电压范围为 2V 至 32V,双电源为 ±16V,且最大电源差(Vdd–Vss)为 36V。工作温度范围为 0℃~+70℃,静态电流(Iq)典型为 600 μA(整片),为低功耗设计提供了良好基础。

二、主要特性

  • 双路独立差分比较器,封装:DIP-8
  • 输出类型:开漏(需要外部上拉电阻)
  • 电源范围:单电源 2V~32V;双电源 ±16V;最大电压差 36V
  • 工作温度:0℃~+70℃
  • 低静态电流:Iq ≈ 600 μA(整片)
  • 输入失调电压 Vos:2 mV(典型)
  • 输入偏置电流 Ib:100 nA;输入失调电流 Ios:5 nA

三、电气参数要点

  • 输入失调电压 Vos(2 mV)影响比较阈值精度。在精密比较场合需考虑 Vos 带来的偏差或采用外部校准。
  • 输入偏置电流(Ib ≈ 100 nA)对于高阻抗信号源会引入误差,建议对高阻抗输入使用缓冲或降低源阻抗。
  • 开漏输出不能主动上拉至高电平,必须外接上拉电阻至所需逻辑电压(不可超过器件的电源限制)。
  • 静态功耗较低,适合电池供电或待机场合,但在高频切换或驱动较大上拉电流时应考虑功耗增加。

四、引脚与封装

  • 封装形式:DIP-8,适合面包板原型、通孔焊接与低成本批量安装。
  • 开漏输出适配多种逻辑电平:上拉电阻可以接至任意合适电压,直至器件最大允许值(参考器件电源限制),便于与 TTL、CMOS 等电平兼容。

五、典型应用

  • 电平比较、阈值检测(电源电压监测、温度报警等)
  • 方波整形与欠压/过压保护电路
  • 脉冲宽度/占空比检测、振荡器和脉冲整形
  • A/D 比较、传感器信号判别(配合适当的前端滤波或缓冲)

六、设计与使用建议

  • 上拉电阻选择:上拉电阻值在 1 kΩ~100 kΩ 范围内常用。若需要较快的上升时间和低输出饱和电压,选择较小阻值(如 1 kΩ~10 kΩ);若注重低功耗,可选较大阻值(如 47 kΩ~100 kΩ)。具体取值根据上拉电压、允许的输出下拉电流与速度需求确定。
  • 电源旁路:在 VCC 与地之间放置 0.1 μF 陶瓷旁路电容,近引脚布置,抑制电源瞬变和开关噪声。
  • 输入保护:若输入可能超出电源范围或存在尖峰,建议串联小阻(几百欧姆到几千欧姆)并使用限幅二极管,以避免输入级损伤或增加失真。
  • 高阻抗源驱动:对于高阻抗传感器输出,优先使用运放缓冲或降低源阻抗,以减少输入偏置电流引起的误差。
  • 温度与漂移:器件标称工作温度 0℃~+70℃,在极端温度或高精度应用中需关注温漂与失调随温度变化的影响。

七、封装与采购建议

  • HGSEMI(华冠)品牌的 LM393N 提供 DIP-8 封装,便于手工焊接与快速原型测试。量产建议根据 PCB 制程选择相应的贴片封装以降低成本。
  • 采购时注意核对完整型号、批次及数据手册,确保电气参数与应用需求匹配,并关注供应商提供的质量与可靠性证明。

总结:LM393N(HGSEMI,DIP-8)是一款通用、低功耗且灵活的双路差动比较器,适合多种电平检测与接口场合。合理选择上拉电阻、做良好电源旁路与必要的输入保护,可在实际系统中获得稳定可靠的比较性能。