ULN2003AMT/TR 产品概述

一、产品简介

ULN2003AMT/TR（HGSEMI/华冠）为七路达林顿晶体管阵列，集成七组达林顿对，专为把低电流逻辑信号放大驱动中高电流负载而设计。器件采用 TSSOP-16 表面贴装封装，体积小、驱动能力强，适用于工业控制、继电器驱动、步进电机驱动、发光器件和各种感性/阻性负载的接口场景。

二、主要参数

• 通道数：7 路（独立输出）
• 集射极击穿电压 Vceo：50 V
• 单通道最大集电极电流 Ic：500 mA
• 最大输入电压 VI：30 V
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +85 ℃
• 集电极漏电流 Icex：20 µA（典型/最大条件请参考详表）
• 输入电流（导通）Iin(on)：0.93 mA（逻辑驱动时的典型输入电流）
• 输入电流（关断）Iin(off)：100 µA（关断输入漏电）
• 封装：TSSOP-16（表面贴装）

三、器件特性与保护

ULN2003AMT/TR 的每一路为达林顿结构，具有较大的电流放大倍数，输入驱动电流小，方便与 TTL/CMOS 等逻辑电平直接接口。器件通常集成续流二极管，用于吸收感性负载反向尖峰（使用时应将续流二极管公共端正确连接至电源）。注意在高电流工作时需关注器件温升与总耗散，必要时加装散热或降低占空比以保证可靠性。

四、典型应用

• 继电器、舵机和电磁阀驱动
• 小功率步进电机低速驱动与保持扭矩控制
• 指示灯、LED阵列、电阻性负载驱动
• 单片机/逻辑电平到高压/高流负载的接口电路
  由于输入电流导通仅约 0.93 mA，可直接由微控制器 IO 或门电路驱动。

五、封装与 PCB 注意事项

TSSOP-16 小型表面贴装便于高密度板级设计。布局时建议：

• 将输出端走线尽量短且粗，减少压降与电磁干扰；
• 对驱动多个高流量通道的板级区域做好铜箔散热与接地，分摊热量；
• 对感性负载使用续流二极管或外部 RC 吸收网络以保护器件。

六、使用建议与注意事项

• 单通道最大 500 mA，若多通道同时大电流工作，应计算总功耗并评估器件结温；
• 输入最大 30 V，超出会损坏输入结构；关断时注意输入漏流（约 100 µA）；
• 对关键应用建议参考完整数据手册中的电流-电压曲线及热阻参数，按实际工况保留余量；
• 若需提高驱动能力，可并联多个通道，但应注意电流共享与接线对称性。

七、采购与兼容性

ULN2003AMT/TR（HGSEMI）通常与行业通用的 ULN2003 系列兼容，适合替换或直接采用在现有电路中。采购时请确认供货方型号、封装与数据手册，以确保参数匹配并满足可靠性要求。若有更高电流或更宽温度需求，可考虑更高规格的器件或配套散热方案。

如需我根据具体负载（电流、占空比、工作电压）评估热量与推荐使用方式，可提供负载参数，我将给出更详细的设计建议。