DMP31D1U-7 产品概述

一、产品简介

DMP31D1U-7 为 DIODES（美台）公司推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23 小封装，针对便携电源管理与小功率开关场合优化设计。器件典型参数包括漏源耐压 BVDSS ≈ 30V，连续漏极电流 Id ≈ 620mA，导通电阻 RDS(on) ≈ 2Ω（在 |VGS|=1.8V 条件下），耗散功率 Pd ≈ 580mW，阈值电压 |VGS(th)| ≈ 1.1V（ID=250µA）。栅极电荷量 Qg ≈ 1.6nC（VGS=8V），输入电容 Ciss ≈ 54pF，反向传输电容 Crss ≈ 5.8pF，输出电容 Coss ≈ 10.9pF，工作温度范围 -55℃ 至 +150℃。

二、主要特性与优势

• 低栅极电荷（Qg 1.6nC），降低驱动能耗，适合由微控制器或简单驱动器直接驱动。
• 中等输入电容与较低 Crss，有助于抑制米勒效应，提升开关稳定性。
• SOT-23 小型封装，适合空间受限的移动设备与便携式电子产品。
• 宽温度工作范围与较高的耐压等级，适应工业级与消费级应用。
• 低速或中速开关时表现优良，适合做高侧负载开关或电源切换元件。

三、典型应用场景

• 手机、平板等便携设备的电源分配与电池断开/负载开关。
• 电源管理模块（PMIC）中的被动高侧开关或反向保护。
• 低功耗 DC-DC 转换器、负载选择与电源路径管理。
• 工业控制中小功率开关场合及信号级电源切换。

四、设计与使用建议

• 作为 P 沟道高侧开关使用时，需注意栅源电压范围及门极驱动逻辑：将栅极拉低（相对于源）以导通，将栅极拉高至接近源电位以关断。
• 在选择工作点时参考 RDS(on) 的标称条件（|VGS|=1.8V），实际导通电阻会随 VGS、结温和工况变化，需进行热耗散与降额计算。
• SOT-23 封装的散热能力有限，建议在印制板布局上采用适当的铜箔散热和短走线以降低结温。
• 高速开关时应考虑串联栅极电阻以抑制振铃，并关注 Coss/Crss 带来的开关损耗与 EMI。
• 详细极限参数、动态特性及典型曲线请参考原厂数据手册，以确保器件在目标工况下的可靠性。

五、封装与采购信息

DMP31D1U-7 提供 SOT-23 封装，适合贴片生产与卷盘（T&R）供料。品牌为 DIODES（美台），适合对空间、成本与驱动资源有较高要求的低功率电源管理设计。有关完整电气特性、封装尺寸和可靠性测试数据，请参阅 DIODES 提供的完整数据手册。