MMZ1005S601CTD25 产品概述
一、产品简介
MMZ1005S601CTD25 为 TDK 系列微型磁珠(磁性 EMI 抑制元件),封装规格为 0402(微型封装,常见尺寸约 1.0 × 0.5 mm)。主要电气参数:直流电阻 DCR ≈ 520 mΩ(±25%),阻抗 600 Ω @ 100 MHz,额定直流电流 300 mA,工作温度范围 −55 ℃ 至 +125 ℃,单通道结构。该型号面向对空间、成本敏感且需在高频段抑制干扰的便携与消费电子应用。
二、主要特性
- 在 100 MHz 附近具有较高阻抗(600 Ω),对该频段及附近的共模/差模干扰有良好抑制效果。
- 低直流电阻(≈520 mΩ),在额定电流下引入的压降和功耗较小,适合低电流电源与信号线。
- 0402 小封装,适合高密度 PCB 布局与微型设备。
- 宽温度工作区间(−55 ℃ 至 +125 ℃),适用于工业与消费环境。
- ±25% 元件容差,需在关键电路中考虑阻抗变化范围对性能的影响。
三、典型应用场景
- 手机、平板等移动终端的射频/信号线滤除高频干扰。
- 可穿戴与 IoT 设备中用于 I/O、天线馈线或低电流电源线的 EMI 抑制。
- 线路级 EMI 滤波(USB/HDMI 等高速接口的近端滤波或分段滤波)。
- 精密模拟电路中作为噪声抑制元件(需注意频段匹配)。
四、选型与使用注意
- 阻抗数据为 100 MHz 测试点值,实际频率响应随频率变化,应参考 TDK 数据手册中的 Z–f 曲线或 S 参数以确认在目标频段的抑制效果。
- 额定电流 300 mA 为安全工作上限,长时间靠近或超过该电流会导致温升、参数漂移甚至失效;在电源线应用需评估压降与热量。
- ±25% 的阻抗容差在高精度滤波场合需预留裕量;建议在关键设计中进行电路仿真或样机测试。
- 小封装对焊接和清洗工艺敏感,避免过压机械应力与过度回流温度循环。
五、封装与 PCB 布局建议
- 将磁珠尽量靠近干扰源或受干扰器件布置,串联放置以实现最小回路面积与最佳抑制效果。
- 0402 封装需要精确的焊盘设计与焊膏量,建议采用 TDK 推荐的焊盘尺寸与回流工艺参数(详见原厂资料)。
- 避免在磁珠附近放置大量敏感模拟走线或可能形成回路的信号线,防止耦合影响。
六、可靠性与采购
- 本型号为 TDK 标准产品,适合量产采购;采购时请以完整型号 MMZ1005S601CTD25 和封装规格为准,并参考最新数据手册获取详细频率响应、过载特性与可靠性测试结果。
- 如需符合特定环保或可靠性认证(如 RoHS、AEC‑Q 等),请在订购前向供应商确认相关证书与认证信息。
总结:MMZ1005S601CTD25 在 100 MHz 附近提供高阻抗、低 DCR 的 EMI 抑制特性,适合微型、高密度电路中对中高频干扰进行有效抑制。设计时注意额定电流与频率响应匹配,并参考厂商推荐的封装与焊接规范以保证性能与可靠性。