ESDA7P120-1U1M 产品概述

一、概述

ESDA7P120-1U1M 是意法半导体（ST）面向接口静电与浪涌保护的一款单路单向 TVS/ESD 二极管，封装为紧凑的 1610 SMD。该器件专为在严苛电磁环境下保护敏感半导体和接口电路设计，兼顾低漏电与高能量吸收能力，适合移动设备、通信接口及汽车电子等场景。

二、主要电气参数（关键值）

• 钳位电压（Vc，典型）：11.5 V（在指定脉冲条件下）
• 工作温度：-55 ℃ 至 +150 ℃
• 击穿电压（Vbr）：6.8 V
• 反向截止电压 Vrwm（额定工作电压）：5.5 V
• 峰值脉冲功率 Ppp：1.4 kW（8/20 µs 波形）
• 峰值脉冲电流 Ipp：120 A（8/20 µs 波形）
• 反向电流 Ir：1.5 µA（在 Vrwm 下）
• 极性：单向；通道数：单路
• 防护等级/符合标准：IEC 61000-4-2（ESD 抗扰度）

三、功能与应用场景

该器件为并联型（钳制式）保护元件，在发生静电放电或雷击类浪涌时，将过压能量钳制到安全电平并导入地线，从而保护后端芯片。典型应用包括：

• USB、HDMI、Ethernet 等高速数据接口的输入端防护
• 智能终端、平板、笔记本的外部引脚保护
• 工业与汽车用 CAN/ LIN 等通信线缆接口（需校核工作电压和标准）

四、设计与布局要点

• 封装 1610 体积小，便于在空间受限的板面靠近保护点封装，最小化引线电感以提高钳位效果。
• 推荐将器件放置在受保护引脚与接地之间，尽量靠近连接器或信号引脚，走线短且宽，接地应直接回到稳固的参考地。
• 单向器件的极性方向必须对应电路正常极性：通常将器件的阳极接地，阴极接被保护线（以便正向浪涌时导通钳位）。

五、选型与注意事项

• 选择时确保 Vrwm（5.5 V）高于电路正常工作最大直流电压，但低于被保护器件的最大耐压。
• 峰值功率 1.4 kW（8/20 µs）与 Ipp 120 A 表明其能承受较强的瞬态冲击，但长线雷击或更大能量浪涌须采用级联或更大功率保护元件。
• 低漏电（1.5 µA）适合低功耗或电池供电系统，但在超低功耗待机电路仍需评估整体泄漏预算。

六、可靠性与环境适应

器件工作温度范围 -55 ℃ 到 +150 ℃，适合汽车级和工业级应用。符合 IEC 61000-4-2 表明通过了静电放电抗扰测试，可有效提升系统抗干扰能力。

七、总结

ESDA7P120-1U1M 在小体积下提供了良好的 ESD/浪涌吸收能力与低漏电特性，适用于需要靠近信号端口的板级保护。设计时注意极性、工作电压匹配和布线最短化，可在多种消费电子与工业/汽车接口中作为第一道静电防护元件。若需承受更大能量或双向信号，请在选型时考虑功率等级或双向型号。