型号:

SPD9105W

品牌:UMW(友台半导体)
封装:SOD-323
批次:24+
包装:未知
重量:-
其他:
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SPD9105W 一小时发货
描述:保护器件 SPD9105W
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.11832
3000+
0.10506
产品参数
属性参数值
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压18V
峰值脉冲电流(Ipp)20A@8/20us
击穿电压5.6V
反向电流(Ir)100pA
工作温度-40℃~+85℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
Cj-结电容1pF

SPD9105W 产品概述

SPD9105W 是 UMW(友台半导体)推出的一款面向低电平信号保护的瞬态抑制二极管(TVS),采用 SOD-323 超小封装设计。该器件针对常见的浪涌、静电放电(ESD)与电脉冲干扰提供可靠的瞬态抑制能力,特别适合对体积、寄生电容和漏电要求严格的信号线与接口保护场合。

一、主要特性与电气参数

  • 型号:SPD9105W
  • 品牌:UMW(友台半导体)
  • 封装:SOD-323(超小表贴封装)
  • 反向截止电压 (Vrwm):5 V
  • 击穿电压(典型):5.6 V
  • 钳位电压(Ipp 条件下):18 V
  • 峰值脉冲电流 (Ipp):20 A(8/20 μs 波形)
  • 反向电流 (Ir):100 pA(在 Vrwm 条件下极低漏电)
  • 结电容 (Cj):约 1 pF(低寄生电容,适合高速信号)
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +85 ℃
  • 符合标准:IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(EFT)、IEC 61000-4-5(浪涌)

二、功能优势与应用价值

  • 小封装、高密度布局:SOD-323 封装体积小,便于在空间受限的移动设备、便携式模块和高密度 PCB 上使用。
  • 低结电容(1 pF):对高速数据线(如 USB、UART、I²C、SPI、以太网等)造成的信号失真极小,能够在保持信号完整性的同时提供防护。
  • 低漏电流(100 pA):对低功耗与电池供电设备友好,不会显著增加待机功耗。
  • 强劲的脉冲吸收能力:在 8/20 μs 波形下可承受峰值 20 A 的浪涌,有效吸收来自外部的短时高能脉冲。
  • 符合 IEC 工业级防护标准:可通过 ESD、EFT 和浪涌等电磁兼容测试要求,提升系统抗扰度与可靠性。

适用场景示例:

  • USB、串口、I/O 接口及控制信号线保护
  • 消费类电子(平板、智能家居设备、手持终端)
  • 工业控制与测控模块(对温度要求 ≤ +85 ℃ 的场合)
  • 通信设备、网络终端及接口板卡

三、典型使用建议与电路接法

  • 接线方式:常见用法为将 SPD9105W 的阴极(通常标识为带)连接到被保护的信号线,阳极接地。当信号线上出现高于 Vrwm 的瞬态时,器件进入导通,钳位电压将瞬间限制到约 18 V,从而保护下游电路。
  • 布局要点:
    • 将器件尽量靠近受保护的接口或连接器放置,缩短与受保护节点之间的走线长度,以降低环路电感。
    • 器件接地端应尽可能直接回到系统地,避免通过长地线或共同地回流引入干扰。
    • 对于多层 PCB,优先使用连续地平面作为接地,以利于瞬态能量快速回流与散逸。
  • 并联注意事项:在需要更高能量吸收时,可按设计规范并联多个 TVS,但需注意分流不均衡可能带来的热应力问题与钳位电压的微小变化。

四、可靠性与封装信息

  • 封装形式 SOD-323 提供了良好的机械强度和焊接可靠性,适合常规无铅回流焊工艺。
  • 工作温度范围 -40 ℃ 至 +85 ℃,覆盖大部分民用及工业级应用温区,适合室内与一般室外设备;对要求更严苛温度(如汽车级)场合,应咨询UMW或选择对应等级器件。
  • 通过 IEC 61000 系列防护标准认证,便于产品通过整机 EMC 测试与认证。

五、选型与注意事项

  • 若系统工作电压或浪涌能量高于此器件规格,应选择 Vrwm 更高或 Ipp 能力更强的TVS型号。
  • 对于超高速差分信号(如高速 USB3、PCIe 等)需参考更低电容或差分专用 TVS 产品,以避免信号失真。
  • 评估时建议结合实际浪涌/ESD 能量、系统地网与封装布局进行仿真或实测验证,确保整机可靠性。

SPD9105W 以其超小封装、低电容与低漏电特点,提供对 5 V 级信号线的高效瞬态保护,是空间受限且对信号完整性要求高的电子设备的理想选择。如需样品、封装图或更详细的评价曲线,请联系 UMW(友台半导体)或其授权分销渠道获取 datasheet 与应用资料。