型号:

MC33078DR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOIC-8
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
MC33078DR 产品实物图片
MC33078DR 一小时发货
描述:运算放大器 7V/us 双路 300nA 16MHz
库存数量
库存:
606
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.37
2500+
1.3
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
增益带宽积(GBP)16MHz
输入失调电压(Vos)150uV
输入失调电压温漂(Vos TC)2uV/℃
压摆率(SR)7V/us
输入偏置电流(Ib)750nA
输入失调电流(Ios)150nA
噪声密度(eN)4.5nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)80dB
静态电流(Iq)2.5mA
输出电流29mA
工作温度-40℃~+85℃
双电源(Vee~Vcc)-5V~5V;5V~18V

MC33078DR 产品概述

一、产品简介

MC33078DR 是德州仪器(TI)出品的一款双路运算放大器,面向低噪声、高线性及通用信号处理场合。器件在 SOIC-8(DR)封装中提供,结合中等带宽与较高的输出驱动能力,适合音频前端、精密传感器接口与工业控制电路等应用。

二、主要规格

  • 放大器数:双路
  • 最大电源宽度 (Vdd–Vss):36 V(额定最大值)
  • 工作电源范围:双电源 ±5 V;单电源 5 V ~ 18 V
  • 增益带宽积 (GBP):16 MHz
  • 压摆率 (SR):7 V/µs
  • 输入失调电压 (Vos):150 µV
  • 输入失调电压温漂 (Vos TC):2 µV/°C
  • 输入偏置电流 (Ib):750 nA
  • 输入失调电流 (Ios):150 nA
  • 噪声密度 (eN):4.5 nV/√Hz @ 1 kHz
  • 共模抑制比 (CMRR):80 dB
  • 静态电流 (Iq):2.5 mA(典型)
  • 输出电流:29 mA
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +85 ℃
  • 封装:SOIC-8(DR)

三、性能亮点

  • 低噪声:1 kHz 处噪声密度仅 4.5 nV/√Hz,适合对噪声敏感的音频与仪表放大器设计。
  • 精确度高:输入失调仅 150 µV,且温漂仅 2 µV/°C,有利于长期稳定的直流精度。
  • 良好带宽与驱动能力:16 MHz GBP 与 7 V/µs 压摆率可满足宽带信号放大需求;29 mA 输出电流允许驱动中等负载。
  • 宽电源兼容:支持 ±5 V 对称电源及 5–18 V 单电源工作,便于在不同系统电源架构中使用。
  • 工业级温度范围:-40~+85 ℃ 适合多数工业与商用环境。

四、典型应用

  • 音频前级放大与滤波器
  • 传感器信号调理(温度、压力、应变等)
  • 仪器放大器与精密比较放大电路
  • 数据采集前端缓冲与驱动
  • 通用模拟信号处理单元

五、封装与可靠性

MC33078DR 以 SOIC-8(DR)封装提供,便于表面贴装与自动化生产。器件在工业温度范围内工作,静态功耗低(Iq≈2.5 mA/放大器),适合功耗受限但对性能有一定要求的系统。

六、设计提示

  • 若用于高精度直流放大,建议在输入端使用低漏电的偏置网络并做好 PCB 泄漏控制,以发挥低 Vos 与低偏置电流优势。
  • 在高速或大摆率应用下,注意布局与旁路,电源旁路电容靠近器件电源脚放置可抑制振铃与供电噪声。
  • 驱动较低阻抗负载时注意热耗散与输出摆幅限制,必要时加缓冲或选用更大驱动能力的器件。

MC33078DR 在噪声、精度与通用性之间取得了平衡,是需要低噪声与良好线性表现的双路运放的可靠选择。若需封装引脚图、典型电路或更多电气特性建议参考 TI 官方数据手册。