型号:

MMBZ6V2ALT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3
批次:-
包装:-
重量:0.03g
其他:
-
MMBZ6V2ALT1G 产品实物图片
MMBZ6V2ALT1G 一小时发货
描述:ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 3V 6.2Vbr 8.7Vc 3-Pin SOT-23 T/R
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产品参数
属性参数值
制造商ON Semiconductor
包装卷带(TR)
零件状态有源
类型齐纳
电压 - 反向断态(典型值)3V
电压 - 击穿(最小值)5.89V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)8.7V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)2.76A
功率 - 峰值脉冲24W
电源线路保护
应用通用
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)
单向通道2
基本产品编号MMBZ6V

MMBZ6V2ALT1G 产品概述

概要

MMBZ6V2ALT1G 是由 ON Semiconductor 制造的齐纳二极管,属于通用类型的电子元器件。该器件以其高性能和多功能性广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要电压稳定和过压保护的场景。

基本参数

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 包装: 卷带(TR)
  • 零件状态: 有源
  • 类型: 齐纳二极管
  • 电压 - 反向断态(典型值): 3V
  • 电压 - 击穿(最小值): 5.89V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 8.7V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 2.76A
  • 功率 - 峰值脉冲: 24W
  • 电源线路保护: 无
  • 应用: 通用
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
  • 单向通道: 2

描述

MMBZ6V2ALT1G 是一种单向齐纳二极管,采用 SOT-23-3 封装。它设计用于提供稳定的参考电压和过压保护功能。以下是其关键特性和应用场景:

电压稳定和过压保护

该器件的主要功能是提供一个稳定的参考电压。其典型反向断态电压为 3V,击穿电压最小值为 5.89V,这使得它适合用于各种需要精确电压参考的应用中。同时,MMBZ6V2ALT1G 可以承受高达 8.7V 的箝位电压,确保在过压情况下能够有效保护电路。

高峰值脉冲能力

MMBZ6V2ALT1G 具有较高的峰值脉冲能力,能够承受 10/1000µs 的峰值脉冲电流达 2.76A,并且峰值脉冲功率可达 24W。这使得它在需要处理高能量脉冲的应用中表现出色。

宽工作温度范围

该器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,这使得它适用于各种极端环境下的应用,从工业控制系统到汽车电子设备等。

表面贴装设计

采用 SOT-23-3 封装的 MMBZ6V2ALT1G 支持表面贴装技术,简化了 PCB 设计和生产过程。这种小型化封装使得器件在空间有限的应用中也能找到广泛的用途。

通用应用

由于其通用性,MMBZ6V2ALT1G 可以应用于多种领域,包括但不限于:

  • 电源系统: 作为参考电压源或过压保护元件。
  • 信号处理: 提供稳定的信号参考点。
  • 汽车电子: 因为其宽工作温度范围和高可靠性,适合用于汽车电子系统。
  • 工业控制: 用于控制系统中的电压稳定和保护。

安全和可靠性

MMBZ6V2ALT1G 符合严格的工业标准,确保其在各种环境下都能提供可靠的性能。其高峰值脉冲能力和宽工作温度范围进一步增强了其在实际应用中的安全性。

总结

MMBZ6V2ALT1G 是一种功能强大、性能可靠的齐纳二极管,适用于需要电压稳定和过压保护的各种电子系统。其小型化封装、宽工作温度范围和高峰值脉冲能力使得它成为许多设计工程师的首选元件。通过选择 MMBZ6V2ALT1G,你可以为你的电子产品提供一个稳定可靠的电压参考点,同时确保系统在极端条件下也能正常运行。