型号:

CESD3V3D5

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOD-523
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
CESD3V3D5 产品实物图片
CESD3V3D5 一小时发货
描述:TVS二极管 CESD3V3D5
库存数量
库存:
7721
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:8000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.072765
8000+
0.05964
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压13V
峰值脉冲电流(Ipp)16A
峰值脉冲功率(Ppp)210W@8/20us
击穿电压5V
反向电流(Ir)80nA
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容120pF

CESD3V3D5 TVS二极管产品概述

一、产品简介

CESD3V3D5 是江苏长电(CJ/长晶)推出的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,封装为 SOD-523,小型贴片设计,专为 3.3V 系统的静电放电(ESD)和浪涌保护而设计。器件符合 IEC 61000-4-2 电磁放电防护标准,适用于移动终端、通信接口、消费电子和工业控制等对空间和可靠性有要求的场合。

二、主要电气参数

  • 钳位电压(Vc,典型):13 V(在 8/20 µs 浪涌下)
  • 击穿电压(Vbr):5 V(典型)
  • 反向截止电压 / 反向工作电压(Vrwm):3.3 V
  • 峰值脉冲功率(Ppp):210 W @ 8/20 µs
  • 峰值脉冲电流(Ipp):16 A(对应钳位电压下)
  • 结电容(Cj):约 120 pF(典型)
  • 反向漏电流(Ir):≤ 80 nA(在 Vrwm 下)
  • 极性:单向(推荐用于有固定参考地的线路)
  • 类型:ESD/浪涌保护

三、性能特点

  • 高频响应快,能在纳秒级别吸收静电脉冲,保护敏感器件免受瞬态过压损害。
  • 高峰值功率吸收能力(210 W @ 8/20 µs),可处理短时较大能量脉冲。
  • 低反向漏电流(≤80 nA),对低功耗电路影响小。
  • 小型 SOD-523 封装,占板面积小,适合空间受限的便携设备。
  • 结电容约 120 pF,适合低速/中速信号线保护;对超高速差分线需评估影响。

四、典型应用场景

  • 3.3V 电源轨的浪涌与静电保护。
  • GPIO、UART、SPI、I2C 等低/中速数字信号接口的过压保护。
  • 手机、平板、可穿戴设备、物联网终端等便携设备外部接口防护。
  • 工业控制模块、传感器接口及其它需要符合 IEC 61000-4-2 的应用场合。

五、设计与布局建议

  • 尽量将 TVS 器件靠近被保护的引脚放置,使引脚到器件的走线最短、最粗,以降低感抗和延迟。
  • 保护端(线侧)接到器件的标称极性端(单向器件的阳极/阴极方向应按数据手册安装),另一端可靠接地(或系统参考地)。
  • 使用完整的地平面并在必要处布设回流通道,减小回路阻抗以获得更好钳位性能。
  • 考虑结电容约 120 pF 对信号完整性的影响,若用于高速接口需评估抖动和带宽损失,必要时选择低电容产品或在前端增加滤波/缓冲电路。
  • TVS 为瞬态保护器件,不适合作为连续电流承载元件;大电流或频繁浪涌场合需配合熔断器或限流元件。

六、选型与使用要点

  • 若系统工作电压稳定在 3.3 V 且需抗静电与短时浪涌,CESD3V3D5 是紧凑且成本有效的选择。
  • 对于高速差分信号(如 USB3.0、PCIe 等),应优先考虑低电容 TVS 器件;若工作在低速/控制信号线,则本器件更为合适。
  • 参考实际浪涌环境选择是否需要更高能量等级或并联/串联保护方案,阅读器件数据手册以获取详细的典型曲线与极限参数。

如需完整的电气特性曲线、封装尺寸或推荐焊接工艺,可告知,我将提供相应的数据手册要点与布局示意。