HESDNC24VB1EL-A 产品概述

一、产品简介

HESDNC24VB1EL-A 是华轩阳电子（HXY MOSFET）推出的一款单通道、双向瞬态电压抑制（ESD）保护器件。器件针对接口与信号线瞬态过压（如静电放电、脉冲干扰）提供快速钳位与能量吸收能力，用以保护敏感的半导体输入/输出端口，适合空间受限的便携类及消费电子产品。

二、主要电气参数

• 钳位电压（Vc）: 45 V（典型条件下峰值钳位）
• 击穿电压（Vbr）: 26 V
• 反向截止电压（Vrwm）: 24 V
• 峰值脉冲功率（Ppp）: 380 W（10/1000μs 波形条件下）
• 峰值脉冲电流（Ipp）: 9.5 A
• 结电容（Cj）: 26 pF（典型）
• 反向泄漏电流（Ir）: 100 nA（额定电压下）
• 通道数: 单路；极性: 双向；类型: ESD

以上参数表明该器件在保持较低结电容的同时，具备较好的脉冲能量承受能力，适用于对信号完整性有一定要求且需抗干扰保护的场合。

三、封装与热/机械特性

• 封装形式：SOD-323（小体积、适合面贴装）
  SOD-323 提供紧凑的安装占位，便于在紧凑的 PCB 布局中靠近被保护节点放置以获得最佳防护效果。注意器件的散热依赖于 PCB 铜箔面积与过孔设计，长时间高能量脉冲应考虑热耗散能力与可靠性保障。

四、典型应用场景

• USB、HDMI、串行接口（UART/I2C/SPI）等数据线保护
• 手机、平板、可穿戴设备的外部接口保护
• 工业控制与通信终端的接口防护
• 任何对信号完整性与低电容要求的低压接口保护

五、使用与布局建议

• 器件应尽量靠近被保护端口放置，缩短 PCB 上的走线长度以降低感性耦合。
• 为提高散热与承受脉冲功率，建议在器件附近预留足够铜箔，并根据需要增加热过孔与地铜。
• 双向器件可直接连接在差分或双向信号线上，无需外加偏置，但需确认工作电压不超过 Vrwm（24 V）。
• 对高速信号，请关注 26 pF 的结电容对上行带宽的影响，必要时评估对信号完整性的影响并调整拓扑或选型。

六、可靠性与测试建议

• 在设计评价阶段，应进行实际 PCB 上的 ESD 与浪涌试验验证，确认钳位电压与残余电压满足系统容限。
• 对于重复高能脉冲场景，建议进行温升与寿命评估，必要时在器件前加串联阻抗或功率分散元件以延长寿命。

七、采购与识别

• 品牌：HXY MOSFET（华轩阳电子）
• 型号：HESDNC24VB1EL-A；封装：SOD-323
  在选择与采购时，请确认完整型号与批次，参考官方数据手册以获得更详细的规范与焊接工艺建议。

总结：HESDNC24VB1EL-A 以小体积封装、低电容与较高脉冲能量承受能力，适合对体积与信号性能有要求的接口防护应用。按照上述布局与热管理建议使用，可在多数便携与消费类设备中提供可靠的瞬态过压保护。