型号:

RB088LAM-60TFTR

品牌:ROHM(罗姆)
封装:SOD-128
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
RB088LAM-60TFTR 产品实物图片
RB088LAM-60TFTR 一小时发货
描述:肖特基二极管 60V 4uA@60V 5A
库存数量
库存:
1686
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.862
3000+
0.8
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)710mV@5A
直流反向耐压(Vr)60V
整流电流5A
反向电流(Ir)4uA@60V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)90A

RB088LAM-60TFTR 产品概述

一、产品简介

RB088LAM-60TFTR 是 ROHM(罗姆)推出的一款肖特基势垒二极管,额定反向耐压为 60V,整流电流 5A,正向压降典型值为 0.71V(@5A)。该器件定位为高效率整流与保护用途,具有低正向压降、低反向漏电流与较强的浪涌承受能力,适合对能效与响应速度有要求的开关电源和功率管理电路。

二、主要特性

  • 正向压降:Vf = 0.71V @ 5A(低压降有助于降低导通损耗)
  • 直流反向耐压:Vr = 60V(满足中低压电源和保护应用)
  • 整流电流:If = 5A(连续工作能力)
  • 反向漏电流:Ir = 4µA @ 60V(常温下漏电小,静态损耗低)
  • 非重复峰值浪涌电流:Ifsm = 90A(一次性冲击浪涌能力强)
  • 封装:SOD-128(小型表面贴装,便于高密度 PCB 布局)

三、电性能解读与工程计算

在最大额定电流 5A 时,器件正向功耗约为 P = Vf × I = 0.71V × 5A ≈ 3.55W(这是二极管在导通时在芯片上需散失的热功率),因此在实际电路设计中需关注封装及 PCB 的散热设计。反向漏电功耗则极小:P_leak ≈ 60V × 4µA = 240µW,可忽略不计。需要注意的是,漏电流随温度升高会显著增加,设计时应考虑工作温度对静态损耗和热稳定性的影响。

四、典型应用场景

  • 开关电源的整流与次级输出整流
  • DC-DC 降压/升压模块中的续流/保护二极管
  • 逆接保护、反向电流阻断
  • 适配器、充电设备、家电与工业电源中对效率有要求的整流环节

五、封装与散热建议

SOD-128 为小型贴片封装,适合高密度设计,但本身散热能力有限。建议:

  • 在 PCB 中为二极管焊盘留出较大接地/铜箔面积并增加热沉区;
  • 对于持续高电流场合,使用较宽的电源走线和多层铜箔或过孔传导热量;
  • 注意回流焊工艺参数与焊接可靠性,避免热循环导致焊点疲劳。

六、选型与使用注意事项

  • 若系统工作温度较高或对漏电严格要求,需关注温升对 Ir 的影响;
  • 若追求更低导通损耗,可考虑并联或选用更低 Vf 的大电流肖特基或同步整流方案;
  • 浪涌(Ifsm)为非重复峰值,仅用于短时冲击评估,频繁冲击需使用更高应力等级器件或保护电路;
  • 确认封装尺寸与 PCB 尺寸匹配,检查生产的贴装与焊接工艺能力。

七、小结

RB088LAM-60TFTR 是一款面向中功率整流与保护的高性价比肖特基二极管,具有较低的正向压降、极小的常温反向漏电流和良好的浪涌承受力。适用于各类开关电源、DC-DC 模块和逆接保护场景。在实际应用中应重视散热设计与温度影响,以发挥器件的最佳性能与可靠性。若需进一步的电气特性曲线或封装图纸,可参考 ROHM 官方的数据手册以获取完整规范。