EMH2T2R 产品概述

一、产品简介与定位

EMH2T2R 是 ROHM（罗姆）推出的一款双通道预偏置数字晶体管（两个 NPN），封装为超小型 SOT-563，面向需要节省 PCB 面积、简化外围电阻设计的低功耗开关与接口电路。器件将晶体管与内置基极电阻进行了集成，免去外接基极电阻的设计和占板，为微控制器 GPIO、电平转换、指示灯驱动和小电流开关等应用提供即插即用的解决方案。

主要特性一览（典型值/规格）：

• 直流电流增益 hFE：68（测试条件：IC≈5mA, VCE≈5V）
• 集电极电流 IC：最高 100mA
• 集-射极击穿电压 VCEo：50V
• 导通饱和电压 VO(on)（VCE(sat)）：约 300mV（测试条件：IC=10mA, IB≈0.5mA）
• 输入相关：最小输入电压 VI(on) 指示值 3V（在输入电流 2mA 条件下）；另有 0.3V 参考值（详见厂方完整手册）
• 内置输入电阻（基极电阻）：47kΩ；电阻比率（通道一致性）：1
• 最大耗散功率 Pd：150mW
• 工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
• 封装：SOT-563（超小封装）

二、电气性能要点

EMH2T2R 的电气特性设计偏向低功耗、小信号开关场景：

• hFE≈68（在 5mA 工作点）意味着在中小电流范围内具有较稳定的放大倍数，便于通过预置基极电阻用少量输入电流控制较大的集电极电流。
• VCE(sat) 约 300mV（IC=10mA）表示作为开关时的压降较低，可减少开关损耗和发热，在小功率负载下效率较好。
• VCEo=50V 提供了良好的耐压能力，可用于较高电压侧的开关，但使用时仍需注意最大耗散功率与热限。
• 内置 47kΩ 基极电阻（典型）可直接由 MCU 或 TTL/CMOS 逻辑直接驱动，但在需要更高开关速度或更大电流时，仍需评估输入和基极电流匹配。

注意：厂方手册中对 VI(on)、输入电流与饱和条件给出了具体测试条件和曲线，选型时应对照实际工作点核算。

三、封装与热管理

• SOT-563 为超小型封装，适合高密度布线，但其散热能力有限。器件最大耗散功率为 150mW（在标准条件下），在实际 PCB 设计中需：
  • 采用合理的铜箔面积和散热层，避免在高环境温度或连续大电流条件下超过功率耗散极限；
  • 对于接近或超过 10–20mA 的持续负载，建议按照 PCB 散热能力做热降额（Derating）计算，确保结温和外壳温度在安全范围内。
• 工作温度覆盖 -40℃ ~ +150℃，适合工业级应用，但在高温环境下同样需要考虑热降额。

四、主要优势

• 集成化：内置基极电阻简化外围电路，减小 BOM、焊盘和设计复杂度。
• 小尺寸：SOT-563 适合便携设备、智能传感器、消费电子等对 PCB 面积敏感的应用。
• 容错与耐压：50V 的耐压能力为开关高侧或更严格电源轨提供一定的裕量。
• 低导通压降：VCE(sat) 低，降低开关能耗，适合驱动 LED、小继电器线圈或开关小型负载。

五、典型应用场景

• 微控制器 GPIO 扩展与保护：作为下拉/开集电极开关，减少 MCU 输出端电流负担。
• LED 指示灯驱动（小电流 LED）：利用低 VCE(sat) 驱动单个或少量 LED。
• 低功率负载开关：开关小型继电器线圈、光耦输入或传感器电源。
• 电平转换与信号整形：为 TTL/CMOS 与更高电压侧之间提供稳健的接口开关。
• 便携与可穿戴设备：受益于小体积与低功耗特性。

六、选型与使用建议

• 确认工作电流与功耗：在最大连续集电极电流接近 100mA 时，需特别注意器件的功耗与热量（VCE × IC），确保不超过 150mW 极限并留有热降额余量。
• 驱动电平与输入电阻匹配：内置 47kΩ 基极电阻适合直接由 3.3V/5V MCU 驱动，但若希望更快的开关或更低 VCE(sat)，可采用外部并联或外接更低阻值方案。
• PCB 布局：增加散热铜箔、短走线，并避免器件附近聚集热源，能有效提升可靠性。
• 参考型号手册进行极限参数核对：本文为概要性介绍，设计最终版请参考 ROHM 官方数据手册的电气特性曲线与典型应用电路。

总结：EMH2T2R 是一款适合高密度、低功耗场合的双通道预偏置 NPN 数字晶体管，集成化设计降低了外围元件需求，适合用于 GPIO 驱动、小功率开关与各种接口电路。选择时重点关注实际集电极电流、功耗与 PCB 散热设计即可发挥其体积与设计简化的优势。