型号:

LMV321IDCKR

品牌:UMW(友台半导体)
封装:SC-70-5
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
LMV321IDCKR 产品实物图片
LMV321IDCKR 一小时发货
描述:Low-Power rail-to-rail Operational
库存数量
库存:
25
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.17
3000+
0.15
产品参数
属性参数值
放大器数单路
最大电源宽度(Vdd-Vss)7.5V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)1MHz
输入失调电压(Vos)5mV
输入失调电压温漂(Vos TC)2.7uV/℃
压摆率(SR)520V/ms
输入偏置电流(Ib)10pA
输入失调电流(Ios)10pA
噪声密度(eN)20nV/√Hz@10KHz
共模抑制比(CMRR)89dB
静态电流(Iq)45uA
输出电流25mA
工作温度-25℃~+85℃
单电源2.1V~5.5V

LMV321IDCKR 产品概述

一、概述与定位

LMV321IDCKR(UMW 友台半导体)是一款单路低功耗、轨到轨输入/输出的运算放大器,针对便携式与电池供电系统优化设计。器件在单电源供电条件下工作电压范围为2.1V至5.5V,最大电源电压差(Vdd‑Vss)可达7.5V,适合各种低压系统和电源容限有限的应用。其SC-70-5小封装有利于高密度PCB布局与移动终端应用。

二、主要性能参数

  • 放大器通道数:单路
  • 轨到轨特性:轨到轨输入与轨到轨输出,能在接近电源轨的电压下工作,简化信号链设计
  • 增益带宽积(GBP):1 MHz,适用于中低频模拟信号处理
  • 压摆率(SR):520 V/ms,快速响应阶跃输入
  • 输入失调电压(Vos):典型值 5 mV;温漂 2.7 μV/°C
  • 输入偏置电流(Ib):10 pA;输入失调电流(Ios):10 pA,适合高阻抗传感器接口
  • 噪声密度(eN):20 nV/√Hz @10 kHz,低噪声性能有利于精确信号放大
  • 共模抑制比(CMRR):89 dB
  • 静态电流(Iq):45 μA(典型),利于低功耗设计
  • 输出电流:最大可驱动 25 mA
  • 工作温度范围:-25 ℃ ~ +85 ℃
  • 封装:SC-70-5

三、典型应用场景

  • 电池供电便携设备(数据记录器、手持测试仪)
  • 传感器前端放大(热敏、光电、压力等高阻传感器)
  • 低功耗便携式模数转换器前置缓冲/驱动
  • 移动医疗监测与便携式生物信号放大
  • 低频滤波器、积分器、缓冲器及基准缓冲电路

四、设计与使用建议

  • 电源旁路:建议在VDD与VSS之间靠近引脚放置0.01–0.1 μF陶瓷旁路电容以抑制高频噪声,改善瞬态响应。
  • 输入与输出摆幅:虽为轨到轨设计,但在接近电源轨时驱动能力会受限,特殊场合下请在实际电源与负载条件下验证线性区间。
  • 负载与频宽权衡:1 MHz 的GBP适合增益不高的放大器配置;如需较大闭环增益,带宽将相应下降。对于驱动较大容性负载,建议加上适当的串联阻抗或频率补偿以保证稳定性。
  • 温漂与偏置:Vos=5 mV且温漂仅2.7 μV/℃,长期温度变化下偏移稳定性较好,适合精密直流信号处理;高阻抗源时注意布局和输入漏电管理以发挥低偏置电流优势。
  • 布局注意:将模拟接地与数字地分离,信号走线尽量短并避开开关噪声源;SC-70-5体积小,焊盘设计与散热通道要合理考虑。

五、包装与采购

器件以SC-70-5小封装提供,适合自动贴片生产流程。型号:LMV321IDCKR(UMW)。在批量采购或用于关键产品时,建议与供应商确认封装出货形式(卷带、托盘)及器件出厂测试报告。

六、小结

LMV321IDCKR是一款面向低功耗、低电压应用的单路轨到轨运放,兼顾低噪声、低失调与较高压摆率,适合便携仪器、传感器接口和精密低频放大场合。合理的系统设计与布局将充分发挥其低功耗与高线性优势。若需针对具体应用的电路建议或仿真参数,可提供更详细的使用场景以便给出针对性方案。