型号:

LMV358IDR

品牌:UMW(友台半导体)
封装:SOP-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
LMV358IDR 产品实物图片
LMV358IDR 一小时发货
描述:低功耗运放
库存数量
库存:
7095
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.206
2500+
0.18
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)7.5V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)1MHz
输入失调电压(Vos)5mV
输入失调电压温漂(Vos TC)2.7uV/℃
压摆率(SR)520V/ms
输入偏置电流(Ib)10pA
输入失调电流(Ios)10pA
噪声密度(eN)20nV/√Hz@10KHz
共模抑制比(CMRR)89dB
静态电流(Iq)45uA
输出电流25mA
工作温度-25℃~+85℃
单电源2.1V~5.5V

LMV358IDR 产品概述

UMW(友台半导体)LMV358IDR 是一款面向低功耗、低电压便携系统的双通道运算放大器。器件支持轨到轨输入与轨到轨输出,适用于电池供电或低电压单电源场合,兼顾低静态功耗与较强的输出驱动能力,是传感器接口、滤波、缓冲和低频放大的理想选择。

一、主要特点

  • 双路运算放大器,集成在同一器件内,节省PCB面积。
  • 轨到轨输入与轨到轨输出,输入输出能够接近电源轨,提高小信号范围利用率。
  • 低功耗设计,静态电流仅约45 µA,适合电池供电与功耗敏感应用。
  • 宽工作电源范围:单电源供电2.1 V ~ 5.5 V;器件最大允许电源宽度(Vdd-Vss)可达7.5 V。
  • 较高的压摆率520 V/ms 与1 MHz的增益带宽积(GBP),满足多数低频至中频信号处理需求。

二、关键电气参数

  • 输入失调电压 (Vos):典型值 5 mV,失调温漂 (Vos TC) 约 2.7 µV/°C。
  • 输入偏置电流 (Ib):约 10 pA,输入失调电流 (Ios):约 10 pA,适合高阻抗源驱动。
  • 噪声密度 (eN):约 20 nV/√Hz @ 10 kHz,具备良好的小信号噪声性能。
  • 共模抑制比 (CMRR):约 89 dB,保持共模干扰抑制能力。
  • 输出电流能力:典型可驱动 25 mA,能直接驱动小负载或后级器件。
  • 工作温度范围:-25 ℃ ~ +85 ℃,适应工业级及民用环境。

三、典型应用场景

  • 电池供电与便携式仪器的信号调理、放大与缓冲。
  • 传感器前端(温度、压力、光电等)与高阻抗信号采集接口。
  • 主动滤波器、积分器与差分放大器等模拟处理电路。
  • 低频驱动与电平转换场合,可替代电源轨附近工作要求高的放大器。

四、封装与订购信息

  • 封装类型:SOP-8,便于表面贴装与自动化生产。
  • 品牌:UMW(友台半导体)。
  • 型号:LMV358IDR。

五、使用建议与注意事项

  • 虽支持轨到轨输入输出,但输出在接近电源轨时性能(负载能力、线性度)会受限,建议在近轨工作时评估实际输出摆幅与失真。
  • 在高精度应用中,应考虑输入失调电压和温漂的影响,并通过电路校准或差分设计降低误差。
  • 尽量减少输入端的阻抗噪声耦合,配合适当的滤波与旁路电容以降低噪声与振荡风险。
  • 供电时建议在电源端增加去耦电容(如0.1 µF与10 µF并联),以保证稳定性与瞬态响应。

LMV358IDR 凭借其轨到轨特性、低静态功耗与较强的通用性能,是对功耗敏感且需在低电压下运行的模拟前端应用的优选器件。若需更详细的电气特性曲线、典型应用电路与封装尺寸图,请参阅厂商数据手册。