RS1JWG_R1_00001 产品概述

一、概述

RS1JWG_R1_00001 是 PANJIT（强茂）推出的独立式快恢复/高效率整流二极管，封装为 SMA-W，额定整流电流 1A，直流反向耐压 600V。器件专为高压整流与中等频率开关电源场合设计，兼顾开关损耗与导通损耗，适用于要求可靠性与性价比的功率电子电路。

二、关键参数

• 二极管配置：独立式
• 工作结温：-55℃ ~ +150℃ (Tj)
• 正向压降 Vf：1.3V @ 1A
• 非重复峰值冲击电流 Ifsm：30A（单次浪涌能力）
• 直流反向耐压 Vr：600V
• 反向电流 Ir：5 μA @ 600V
• 反向恢复时间 Trr：250 ns
• 额定整流电流：1A
• 封装：SMA-W
  这些参数表明器件在 600V 级别具有较低漏电和中等恢复性能，能在开关频率较低至中等范围内工作。

三、主要特性与优势

• 高耐压：600V 额定适合离线电源、逆变器前级等高压场合。
• 低漏电：5 μA（@600V）利于减少待机功耗与热损失。
• 中等快速恢复：Trr≈250ns，在中频开关（数十 kHz 至百 kHz 级）中表现平衡。
• 良好冲击能力：Ifsm=30A 能承受启动及短时故障浪涌电流。
• 商用封装：SMA-W 易于自动贴装与焊接，适合批量生产。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）次级整流或高压整流回路
• 电源适配器、电视、显示器等离线电源
• 电机驱动回生回路与反向吸收二极管
• 不间断电源（UPS）与逆变器的高压整流
• 电池充电与保护电路的整流/保护元件

五、设计与布局建议

• 导通损耗估算：在 1A 工作点，Pd ≈ 1.3W，需在 PCB 上提供良好散热路径（加宽铜箔或散热垫）。
• 高频开关时注意 Trr 带来的反向恢复电流，必要时在二极管前后加 RC 或缓冲网络以抑制尖峰。
• 浪涌场合请保证 Ifsm 不被多次重复触发；在设计中考虑浪涌保护与保险元件配合。
• 焊接与回流：遵循封装热循环规范，避免过度热应力；SMA-W 适合标准回流工艺。

六、可靠性与选型参考

RS1JWG_R1_00001 在高压整流与中等频率开关应用中提供可靠性能。若追求更低正向压降以提高效率，可考虑低压差肖特基二极管，但肖特基器件在 600V 级别受限；如需更短反向恢复时间，应选用超快恢复二极管或专用快恢复系列。选型时应综合电压、频率、效率与热管理需求。

如需器件数据手册、封装尺寸或建议的 PCB 版图，请告知，我可提供更详细的图纸与设计参考。