SGM80582XS8G/TR 产品概述

一、产品简介

SGM80582XS8G/TR 是圣邦微（SGMicro）推出的一款双路运算放大器，封装为 SOIC-8，面向对速度、噪声与低偏置电流有综合要求的精密前端放大应用。器件支持宽电源范围，既可在单电源模式下工作，也可在双电源模式下使用，适应工业级温度范围，可靠性与适用性兼顾。

二、主要性能参数

• 放大器数：双路
• 最大电源宽度 (Vdd - Vss)：6 V
• 单电源工作电压：2.5 V ~ 5.5 V
• 双电源工作电压：VeeVcc = ±1.25 V ~ ±2.75 V（即 -2.75 V-1.25 V / 1.25 V~2.75 V）
• 输入失调电压 (Vos)：典型 3 mV
• 输入失调电压温漂 (Vos TC)：6.5 μV/℃
• 输入偏置电流 (Ib)：2 pA（极低，利于高阻抗信号源）
• 压摆率 (SR)：160 V/μs（高速响应）
• 噪声密度 (eN)：7 nV/√Hz @1 MHz（低噪声）
• 共模抑制比 (CMRR)：71 dB
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +125 ℃
• 封装：SOIC-8

三、性能亮点与应用场景

• 低输入偏置电流（2 pA）使其非常适合高阻抗传感器接口、测量电路与集成电容传感器前端，能有效降低偏置引入的误差。
• 7 nV/√Hz 的低噪声特性与 160 V/μs 的高压摆率兼顾了精密与带宽需求，适合精密信号放大、滤波器、仪表放大器缓冲以及高速采集通道的驱动。
• 宽工作电压支持单电源 2.5 V 应用与 ±2.75 V 双电源应用，便于在低功耗或多供电方案中灵活部署。
• 工业级温度范围（-40~125 ℃）适合汽车电子、工业控制和通信终端等严苛环境使用。

四、设计与使用建议

• 电源去耦：建议在电源引脚靠近芯片处并联 0.1 μF 陶瓷电容与 10 μF 低 ESR 电解/固态电容以抑制高频与低频噪声，保证稳定性。
• 共模与输出范围：尽管器件具备宽电源范围，但输出与输入通常无法完全到达电源轨，设计时应给出合适的共模裕度与输出余量。
• 失调与温漂补偿：若系统对直流精度要求极高，可配合外部失调调节或采用差分测量与校准，利用 6.5 μV/℃ 的低温漂优势降低温度相关误差。
• 高阻抗节点布局：针对高阻抗输入（传感器接口）注意走线最短、避免泄漏路径，并采用保护元件防止静电与带电插拔损伤。

五、封装与采购信息

• 品牌：SGMICRO（圣邦微）
• 型号：SGM80582XS8G/TR
• 封装形式：SOIC-8，便于标准穿孔或贴装电路板装配
• 适用行业：工业控制、传感器前端、数据采集、精密放大与通信前端等

小结：SGM80582XS8G/TR 是一款在噪声、速率与低偏置电流之间取得平衡的双路运算放大器，适合需要高精度、低噪声与高速响应的前端电路。设计时注意电源去耦与共模/输出裕度，可在多种工业与消费电子场景中发挥良好性能。