型号:

ESD56161D24-3/TR

品牌:WILLSEMI(韦尔)
封装:DFN2x2-3L
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
ESD56161D24-3/TR 产品实物图片
ESD56161D24-3/TR 一小时发货
描述:瞬态抑制二极管 ESD56161D24-3/TR
库存数量
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.337
3000+
0.315
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)24V
钳位电压30V
峰值脉冲电流(Ipp)170A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)5kW@8/20us
击穿电压25V
反向电流(Ir)1uA
通道数单路
工作温度-40℃~+85℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容700pF

ESD56161D24-3/TR 产品概述

一、产品简介

ESD56161D24-3/TR 是 WILLSEMI(韦尔) 出品的单路单向瞬态电压抑制二极管(TVS),封装为紧凑型 DFN2x2-3L,专为对 24V 等级电源/信号线提供快速浪涌与静电释放保护而设计。器件符合 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5 等抗干扰标准,适合工业与消费类电子的抗瞬态干扰场景。

二、主要参数(关键指标)

  • 极性:单向
  • 反向截止电压 Vrwm:24V
  • 击穿电压 Vbr(典型):25V
  • 钳位电压 Vc(典型):30V
  • 峰值脉冲电流 Ipp:170A(8/20µs)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:5kW(8/20µs)
  • 反向电流 Ir:1µA
  • 结电容 Cj:700pF
  • 通道数:单路
  • 工作温度:-40℃ 至 +85℃
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2/4-4/4-5

三、特点与优势

  • 高能量吸收:5kW(8/20µs)峰值功率与 170A 峰值电流能力,可应对工业级浪涌事件。
  • 快速钳位:典型钳位电压 30V,在 24V 系统中能有效限制过压幅度,保护下游元件。
  • 低漏电:1µA 的反向电流有利于降低静态功耗。
  • 小封装:DFN2x2-3L 体积小,利于空间受限的 PCB 布局。
  • 标准兼容:通过常见的 IEC 抗扰度测试,可靠性高。

四、典型应用

  • 24V 工业电源总线与分支保护
  • 接口保护:RS-485、CAN 辅助保护(注意结电容限制)
  • 电源输入、继电器驱动回路和小型逆变器前端保护
  • 工业控制设备、楼宇自动化、通信设备防雷电与静电场景

五、布局与安装建议

  • 器件应尽量靠近被保护的接口或电源引脚放置,走线尽量短直,减小回路电感。
  • 将器件阴极/接地端与设备地平面通过短而粗的走线或多过孔连接,必要时使用焊盘下的大焊盘/散热垫并辅以过孔散热。
  • 结电容 700pF 较大,会影响高速差分信号;若用于高速接口(USB/高速以太网等)需评估信号完整性或选用低容版本。
  • 在多通道应用中注意每通道的接地路径分离以避免耦合。

六、选型与注意事项

  • 对于严格的高速数据线保护,应优先考虑低 Cj 的 TVS;若保护对象为电源或低速信号,ESD56161D24-3/TR 是经济且高能的选择。
  • 工作温度范围为 -40℃~+85℃,用于更高温度环境需核实器件的长期热稳定性。
  • 选型时关注实际浪涌波形与能量,必要时在 PCB 上并联熔丝或限流元件以提高系统保护能力。

如需器件封装图、脚位定义或参考电路图,可提供进一步资料以便完成 PCB 布局和仿真验证。