MM5Z6V8T1G 产品概述

一、产品简介

MM5Z6V8T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款独立式齐纳二极管，标称稳压值 6.8V，额定耗散功率 500mW，采用表面贴装 SOD-523 封装。该器件适用于小巧电路中的基准、稳压和浪涌限幅等应用，具有体积小、工艺兼容性好、成本低的特点。

二、主要电气参数

• 标称稳压值（Vz）：6.8V（公差约 ±5.9%，实际范围 6.4V～7.2V）
• 反向漏电流（Ir）：典型 1 µA（在规定测试电压下）
• 耗散功率（Pd）：500 mW（在规定散热条件下）
• 动态阻抗：Zzt ≈ 15 Ω（在测试电流条件下），Zzk ≈ 160 Ω（在低电流弯曲区测得）
• 工作结温范围：-65 ℃ ～ +150 ℃
  这些参数决定了在不同偏流和温度下的稳压精度与功耗能力，设计时需结合实际工况进行余量计算。

三、封装与热管理

SOD-523 为超小型表贴封装，适合高密度 PCB 布局，但热阻较大，影响实际可持续分流电流。理论上在稳压点最大允许电流 Iz_max ≈ Pd / Vz ≈ 500mW / 6.8V ≈ 73 mA；但受封装散热与环境温度限制，建议实际工作电流远低于该值以保证长期可靠性。提高散热可采用增大铜箔面积、增加过孔导热或将器件放在散热良好的板面。

四、典型应用与电路实用建议

• 基本并联稳压（基准）：用作低功耗电压基准，需串联限流电阻 R = (Vs - Vz) / Iz。示例：Vs=12V，期望 Iz=5mA，则 R ≈ (12-6.8)/5mA ≈ 1.04 kΩ；此时二极管功耗约 34 mW，远低于 Pd。
• 过压/浪涌钳位：可并联在敏感节点，限制瞬态电压；需注意浪涌能量与平均耗散能力。
• 参考/偏置源：在模拟电路中作参考或偏置元件，注意温度系数与动态阻抗对精度的影响。

五、设计与选型要点

1. 确认稳压精度需求：±5.9% 的公差适合非精密基准场合，如需更高精度应选用低温漂或者激励稳压方案。
2. 动态阻抗与负载影响稳压稳定性：较高的 Zzt 在变化电流时会带来明显电压漂移，若负载电流波动大，应增加旁路或缓冲。
3. 热限与封装：SOD-523 的散热能力有限，长时间高电流工作需考虑热沉或选用更大功率封装。
4. 焊接与布局：遵循厂商回流曲线，保持引线短并提供足够铜面积及过孔以改善热流。注意器件极性（通常有阴极标记）。

六、可靠性与应用提示

• 工作温度范围宽 (-65 ℃～150 ℃)，适应苛刻环境，但在高温下需注意热降额。
• 低反向漏电适合高阻节点，但在极低电流应用中，Zener 的“弯曲区”与温漂会影响性能，应进行实测验证。
• 若用于反复冲击或高能量浪涌场合，应结合串联限流或选择专用抑制器件（TVS）以延长寿命。

总结：MM5Z6V8T1G 是一款针对小型表面贴装场合的通用 6.8V、500mW 齐纳二极管，适合低至中等功率的稳压、基准与浪涌钳位场景。设计时需重视封装热性能与动态阻抗，合理计算限流与散热措施，方能发挥其稳定可靠的特性。