UMF28NTR 产品概述

一、产品简介

UMF28NTR 是 ROHM（罗姆）推出的一款小信号三极管，采用 SC-88 / SOT-363 超小封装，适合高密度表面贴装电路。该器件具有较高的直流电流增益和较低的饱和压降，适用于低电压开关、放大与接口驱动等场合。

二、主要特性（基于给定规格）

• 直流电流增益 hFE：典型 180（IC=1mA，VCE=6V），在小电流工作点具有较高增益。
• 集-射极击穿电压 VCEO：50V，适合中等电压应用。
• 集电极电流 IC：最大 150mA，适用于小功率开关与驱动。
• 功耗 Pd：150mW（封装热限制需考虑散热）。
• 饱和压降（资料项 VO(on)）：典型 100mV（IC=10mA，IB=0.5mA），在开关作为低压差器件时表现优良。
• 射极-基极击穿电压 VEBO：6V，基极反向耐压有限，需避免反向偏置超过额定值。
• 输入阻抗：约 22kΩ，便于高阻抗源直接驱动。
• 输入电平特性（资料项 VI(on)/VI(off)）：给出参考值 VI(on) 最小约 2.5V（Iin=2mA，VCE=0.3V），VI(off) 最大约 400mV（Iin=100µA，VCE=5V），用于评估作为电平开关时的驱动要求。
• 其他：电阻比率 2.1（资料标注），说明在不同工作点下增益或电阻特性会有变化，应在设计时验证。

三、典型应用场景

• 低电压逻辑开关和电平转换。
• 小信号放大器（低频或射频前级视频段而定）。
• MCU/逻辑门驱动、LED 驱动与传感器接口。
• 空间受限的便携设备和消费电子产品，利用 SOT-363 小封装实现高密度布局。

四、设计与使用注意事项

• 热管理：封装 Pd=150mW，持续较大 Ic 时需评估印制板散热能力；若功耗接近额定值，应限制工作时间或改用更大封装器件。
• 基极保护：VEBO=6V，切勿使基极承受反向电压超出该值，外接保护二极管或限压电路以防误操作。
• 偏置与直流工作点：hFE 在不同 IC 下变化显著，推荐在目标工作电流下测量真实增益并据此计算基极偏置电阻。
• 开关应用：VCE(sat) 典型值低，适合作为低损耗开关；建议按照 IC/IB 比例选择合适基流保证充分饱和。
• ESD 与焊接：小型封装对手工焊接和回流工艺敏感，遵守 ROHM 建议的回流温度曲线和防静电措施。

五、封装与采购建议

UMF28NTR 封装为 SOT-363（SC-88），适合自动贴片与高密度 PCB 设计。选型时请对照实际应用的电流、功耗和电压条件，必要时进行样片测试验证在目标电路中的表现。

总结：UMF28NTR 提供在小封装下较高增益与低饱和压降的折衷，适合空间受限、需低损耗开关或小信号放大的便携与消费类电子设计。在设计中关注热限、基极反向耐压和工作点对 hFE 的影响，可发挥该器件的优势。