MBR3200_AY_10001 产品概述

一、产品简介

MBR3200_AY_10001 为强茂（PANJIT）出品的肖特基整流二极管，封装为 DO-201AD 轴向引线式。器件设计用于中等电流与中高电压整流场合，具有低正向压降和快速恢复特性，可显著降低整流损耗与发热。典型应用包括开关电源整流、整流桥、续流二极管、逆向保护及电池充放电系统。

二、主要电气参数

• 直流正向电流（整流电流）：3A（连续）
• 正向压降（Vf）：900mV @ 3A
• 直流反向耐压（Vr）：200V
• 反向电流（Ir）：50µA @ 200V（在室温条件下）
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：80A
• 工作结温范围：-55°C ~ +150°C

以上参数反映出该器件在 3A 工作点下仍保持较低的压降与良好的浪涌承受能力，适合需要兼顾效率与稳健性的电源设计。

三、关键特性与优势

• 低正向压降：Vf ≈ 0.9V@3A，有利于降低整流损耗与器件发热，提升系统效率。
• 低反向漏电：50µA@200V 的反向电流在同类肖特基器件中处于合理范围，注意随温度升高漏电会增加。
• 强浪涌能力：80A 非重复峰值浪涌电流，能承受启动或故障时的短时冲击电流。
• 轴向 DO-201AD 封装：机械强度好，适合手工/波峰/选择性焊接，便于散热与更换维护。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）输出整流或续流二极管
• 工业电源与适配器整流
• 电池充电器与逆变器保护
• 逆向/反接保护电路
• 电机驱动中的续流路径

五、设计与使用建议

• 散热与热设计：尽管器件额定结温可达 +150°C，长期可靠性建议在实际设计中采取适当的结温降额（derating），并通过良好散热路径（散热片或铜箔）降低结温。注意 PCB 布线宽度与引线热阻会直接影响结温。
• 布局：将肖特基二极管靠近热源或承受电流路径的负载布置，缩短信号或功率回路的引线长度，以减小寄生电感与压降。
• 浪涌保护：若存在频繁或大的浪涌事件（例如电机启动、感性负载开关），建议增加外部浪涌吸收或限流措施，避免超出 Ifsm 规格。
• 温度对漏电影响：反向电流会随温度上升显著增加，在高温工况下需评估泄漏电流对系统的影响。

六、封装与可靠性

DO-201AD 轴向封装提供坚固的机械性能，适合工业级应用与批量手工或波峰焊装。强茂出品在出厂测试、元件筛选与长期稳定性方面具备行业经验，适合对可靠性有较高要求的应用场景。具体的焊接温度、储存与加速寿命测试数据建议参考强茂官方 Datasheet 以获取详尽规范。

七、选型注意事项

• 若需更低的正向压降或更高频率性能，可考虑低 Vf 或封装不同的肖特基产品；若要求更低漏电，可比较 PN 结整流二极管或不同制程的肖特基。
• 使用前请核对 Datasheet 的典型曲线（Vf-T、Ir-T、Ifsm 能量吸收曲线等），并在目标工作点下进行热仿真与实测验证。

总体而言，MBR3200_AY_10001 是一款面向工业与消费类中等功率整流场合的可靠肖特基二极管，兼顾低损耗与良好的浪涌能力，适合需要耐压 200V 且工作电流在 3A 左右的应用。若需更详细的电气或机械数据（如结-壳热阻、典型温度曲线、引脚尺寸与包装信息），请参考强茂（PANJIT）官方 Datasheet。