型号:

UCC27712DR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOIC-8
批次:22+
包装:编带
重量:0.104g
其他:
UCC27712DR 产品实物图片
UCC27712DR 一小时发货
描述:栅极驱动芯片 UCC27712DR SOIC-8
库存数量
库存:
4123
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.47
100+
1.91
1250+
1.66
产品参数
属性参数值
驱动配置半桥
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
峰值灌电流2.8A
峰值拉电流1.8A
电源电压10V~20V
上升时间16ns
下降时间10ns
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)

产品概述:UCC27712DR

引言

UCC27712DR 是由德州仪器(Texas Instruments,简称 TI)推出的一款高性能栅极驱动芯片,采用8-SOIC封装设计,专为满足现代电力电子设备的需求而高度优化。该芯片支持半桥配置,广泛应用于各类功率转换器、逆变器和电机驱动系统中,以提供高效、可靠的栅极驱动解决方案。

基础参数

UCC27712DR 具有驱动配置为半桥的特性,支持两通道操作,使其能够驱动N沟道和P沟道MOSFET或IGBT。其供电电压范围为10V至20V,逻辑电平的定义阈值为 VIL = 1.5V 和 VIH = 1.6V,便于与多种逻辑电路集成。UCC27712DR 的峰值输出电流为 1.8A(灌入)和 2.8A(拉出),使得该芯片能够灵活应对不同负载情况下的快速切换需求。

高压操作能力

UCC27712DR 拥有700V的高压侧最大自举电压,确保其可以在高压应用中稳定工作,特别适合需要高电压驱动的电力电子设备。这一特点使得UCC27712DR能够在多种高电压、高功率的场合中得到有效应用。

时间响应

结合极短的上升和下降时间(典型值分别为16ns和10ns),UCC27712DR 具有优异的动态表现。这一特性不仅有助于提高系统的开关频率,降低开关损失,还能减小电磁干扰(EMI),从而提升整个系统的效率和稳定性。

环境适应性

UCC27712DR 能够在-40°C至125°C的工作温度范围内稳定运行,确保其在恶劣环境下的可靠性。这使得该芯片适用于工业、电力和汽车等领域的各种应用,满足不同场合对温度适应性的严格要求。

安装与封装

UCC27712DR 采用表面贴装型SOIC-8封装,具有小巧的体积和标准引脚排列设计,方便进行PCB布线和自动化生产。这种设计对于在紧凑空间内布局多个元件的高密度电路板而言,显得尤为重要。

应用领域

UCC27712DR 适用于多种应用领域,包括但不限于:

  1. 电源转换器:如开关电源(SMPS)和其它直流-直流转换器。
  2. 电机驱动:适用于无刷直流电机和步进电机驱动,以提高效率和控制性能。
  3. 逆变器系统:在可再生能源系统中的逆变器中用于将直流电转为交流电,满足电网或负载的需求。
  4. 工业控制:广泛用于工业自动化设备及电源管理系统。

总结

UCC27712DR作为一款集成度高、性能强大的栅极驱动芯片,展现了TI在电力电子领域的技术优势。通过提供灵活的电压范围、卓越的时间响应以及广泛的工作温度适用性,UCC27712DR 不仅提高了电力转换的效率,还简化了设计流程,是众多工程师和设计师在开发现代电力电子设备时的理想选择。鉴于其多功能和出色的性能,该芯片在电气驱动领域的前景非常广阔,适合各种高功率电子应用的需求。