型号:

MCP6072-E/SN

品牌:MICROCHIP(美国微芯)
封装:SOIC-8
批次:23+
包装:管装
重量:-
其他:
MCP6072-E/SN 产品实物图片
MCP6072-E/SN 一小时发货
描述:运算放大器 0.5V/us 双路 1pA 1.2MHz
库存数量
库存:
20
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:100
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.98
100+
4.62
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)6V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)1.2MHz
输入失调电压(Vos)150uV
输入失调电压温漂(Vos TC)1.5uV/℃
压摆率(SR)500V/ms
输入偏置电流(Ib)1pA
输入失调电流(Ios)1pA
噪声密度(eN)19nV/√Hz@10kHz
共模抑制比(CMRR)89dB
静态电流(Iq)110uA
输出电流28mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源1.8V~6V

MCP6072-E/SN 产品概述

一、产品简介

MCP6072-E/SN 是 MICROCHIP(美国微芯)推出的双路低功耗运算放大器,封装为 SOIC-8。器件支持轨到轨输入与轨到轨输出,单电源工作电压范围为 1.8V 至 6V(Vdd‑Vss 最大 6V),工作温度范围 -40℃ 至 +125℃。其典型增益带宽积为 1.2MHz,压摆率 0.5V/µs(500V/ms),输出电流可达 28mA,静态电流约 110µA/通道。

二、主要性能特点

  • 双路运放,封装:SOIC-8,便于 PCB 布局与双通道应用;
  • 轨到轨输入/输出,适用于低压单电源系统(1.8V 起);
  • 增益带宽积(GBP):1.2MHz,适合低频至中低频信号放大;
  • 典型压摆率(SR):0.5V/µs,适合缓慢或中等速率的信号边沿;
  • 极低输入偏置电流 Ib:1pA;输入失调电流 Ios:1pA;
  • 低输入失调电压 Vos:150µV;温漂 1.5µV/℃;
  • 噪声密度 eN:19nV/√Hz @10kHz;共模抑制比(CMRR):89dB;
  • 静态电流 Iq:约 110µA(典型);输出驱动能力:28mA。

三、典型应用场景

  • 传感器前端放大(高阻抗传感器、热电偶、电容/电阻式传感器);
  • 电池供电与便携式仪器(低压单电源、低功耗要求);
  • 精密电压缓冲与基准放大(低 Vos、低漂移需要);
  • ADC/DAC 驱动与采样保持前置放大(中低速);
  • 积分器、低频滤波器与信号调理电路。

四、设计建议与注意事项

  • 电源去耦:建议在每个电源引脚并联 0.1µF 及 1–10µF 电容以抑制高频/低频噪声;
  • 对于高阻抗源,利用其 1pA 级偏置电流可减少误差,但需注意 PCB 漏电流与杂散电容,保持良好打板工艺与清洁度;
  • 由于 GBP 与 SR 属于中低速等级,不适合驱动高速或大带宽信号链路;若需高带宽或更快边沿应选用高速放大器;
  • 轨到轨输入/输出能在接近电源轨工作,但在驱动大电流或接近轨端的极限电压时需验证输出摆幅与负载情况;
  • 在设计滤波或积分电路时,注意低频噪声指标(19nV/√Hz @10kHz)与失调漂移对直流精度的影响。

五、封装与订购信息

  • 型号:MCP6072-E/SN;
  • 品牌:MICROCHIP(美国微芯);
  • 封装:SOIC-8(双运放);
  • 工作温度范围:-40℃ ~ +125℃;
  • 订购时请参考 MICROCHIP 官方数据手册与封装/卷带(/SN)信息,确认温度等级与包装方式以满足量产需求。

六、优劣点总结

  • 优点:轨到轨、低电压单电源、极低输入偏置与失调、低功耗、适合精密低频信号调理与高阻抗传感器接口;
  • 局限:增益带宽与压摆率属于中低速类别,不适合高速信号处理或大电流快速驱动场合。

本器件适合需要高输入阻抗、低失调和低功耗的精密信号调理场景。若需进一步电路示例、增益带宽分析或与其他器件的比较,可提供具体应用需求以便给出更有针对性的设计建议。