ZMM4V3 稳压二极管（HXY MOSFET · 华轩阳电子）产品概述

一、产品简介

ZMM4V3 是华轩阳电子（HXY MOSFET）推出的独立式稳压二极管，标称稳压值为 4.3V，规格范围 4.0V～4.6V，常用于小功率电压参考与过压钳位。典型描述为“稳压二极管 独立式 4.3V 4V~4.6V 1μA@1V”，封装为小型轴向 LL-34 适合通孔安装。

主要参数一览：

• 稳压值（标称）：4.3V（范围 4.0V～4.6V）
• 反向电流 Ir：1 μA @ VR = 1 V
• 耗散功率 Pd：500 mW
• 阻抗 Zzt：75 Ω
• 阻抗 Zzk：600 Ω
• 封装：LL-34（小型轴向玻璃封装）
• 配置：独立式稳压二极管

二、主要电气特性说明

• 标称稳压 4.3V：在规定测试电流下可提供稳定参考电压，实际电压会随测试电流和温度略有变化（规格范围 4.0–4.6V）。
• 低反向泄漏：Ir 在 VR=1V 时仅 1 μA，适合对漏电要求较高的高阻电路，但在纳安级应用仍需注意。
• 动态阻抗：Zzt=75 Ω（在测试电流点），表明在工作电流附近有良好调整性；Zzk=600 Ω（低电流段），表示在极小电流下稳压能力下降，噪声和电压漂移增大。
• 功率限制：最大耗散功率 500 mW，需按实际应用进行功率与温升计算并适当降额使用。

三、典型应用场景

• 低压参考源与基准电压：用于模拟电路、比较器参考、电源子模块的小电压基准。
• 过压/浪涌保护：用于钳制瞬态电压，保护输入端敏感器件。
• 偏置与电平移位：为放大器或射频前端提供稳定偏置点。
• 便携式与电池供电设备：小封装、低漏电适合对空间与待机功耗敏感的场合。

四、设计与选型建议

• 电流选择：稳压二极管需配合串联限流电阻 R，计算公式 R=(Vin–Vz)/Iz；二极管耗散 Pz≈Vz×Iz，应保证 Pz < Pd 并留有余量（建议工作不超过额定的 60–80%）。
• 温度与散热：500 mW 为环境温度参考值，实际场合应考虑环境温度和线路散热，必要时选用外部散热或降低工作电流。
• 高阻应用注意：若电路阻抗高或工作电流极小，应注意 Zzk 较大导致的稳压不稳与噪声问题，必要时提高工作电流或选用低阻抗型号。
• 不宜并联：为避免不均流与热失控，不建议并联多个同型号稳压二极管以增加功率承载，应改用额定功率更高的器件或并联具有独立限流方案的模块。

五、封装与可靠性

LL-34 小型轴向玻璃封装便于通孔焊接与自动化贴装，玻璃封装提供良好电气绝缘与长期稳定性。器件在长期工作下的温漂与封装热阻需在板级设计中考虑，存储与回流焊温度按厂方说明执行以保证可靠性。

六、总结

ZMM4V3（HXY MOSFET·华轩阳电子）为一款针对小功率、低压参考及过压钳位设计的独立式稳压二极管，标称 4.3V、低漏电（1 μA@1V）、500 mW 耗散功率、Zzt=75 Ω、Zzk=600 Ω，适合便携设备与通用模拟电路。选型时重点关注工作电流、功耗余量和温度影响，以确保电路长期稳定可靠。若需满足更高精度或更大功率，请考虑更低阻抗或更大耗散能力的替代型号。