ZMM2V0 — 华轩阳电子 HXY MOSFET 2.0V 稳压二极管产品概述

一、产品概述

ZMM2V0 是华轩阳电子（HXY MOSFET）推出的独立式稳压二极管，标称稳压值 2.0V，公差范围 1.8V~2.15V。该器件采用 LL-34 小型独立封装，面向空间受限且对低压基准或保护电路有稳定性要求的应用场合。核心指标包括反向泄漏电流 Ir = 100μA @ 1V、耗散功率 Pd = 500mW，以及动态阻抗 Zzt = 85Ω、Zzk = 600Ω。

二、主要技术参数

• 类型：独立式稳压二极管（Zener）
• 标称稳压：2.0V
• 稳压范围：1.8V ~ 2.15V
• 反向电流 Ir：100 μA @ 1V（低电压下的漏电指标）
• 最大耗散功率 Pd：500 mW（器件在推荐工作条件下的功率限制）
• 动态阻抗：Zzt = 85 Ω（测试电流附近的小信号阻抗），Zzk = 600 Ω（低电流拐点区域阻抗）
• 封装：LL-34（小型独立封装）
• 品牌：HXY MOSFET（华轩阳电子）

三、核心特性与优势

• 低压基准：2.0V 的低稳压值适用于低压参考、偏置稳定等场合。
• 漏电可控：在 1V 条件下 Ir = 100 μA，显示在低电压驱动或待机状态下的泄漏水平。
• 可靠的功率承受：500 mW 耐功耗能力，适合小功率稳压与瞬态吸收场景。
• 动态阻抗特性：Zzt 较低（85 Ω），在规定测试电流附近能提供相对稳定的稳压性能；Zzk 较高（600 Ω），提示在极低电流区间存在较明显的电压-电流变化，需要注意使用点。

四、典型应用场景

• 低压电源参考与基准源（如 ADC 参考、比较器偏置）
• 电路中对低电压保护或钳位（防止输入尖峰超限）
• 小功率稳压模块、偏置回路和传感器前端电路
• 待机/低功耗设备的局部电压稳定

五、电气与热管理建议

• 功耗限制：最大耗散功率为 500 mW，设计时需根据稳压电压与工作电流计算耗散（Pd = Vz × Iz + Iz × Ir ≈ V × I），并留有安全裕度。实际允许电流随环境温度和散热条件变化，应避免长期在额定 Pd 附近工作。
• 动态阻抗影响：在需要高精度稳压的场合，应选择在 Zzt 指定的测试电流附近工作，以减小电压随电流变化带来的误差。若工作在很小电流区，受 Zzk 影响电压会波动较大。
• 热管理：LL-34 为小型封装，散热能力有限。建议在 PCB 设计中增加铜箔面积或使用散热垫以降低结温，尤其在较高环境温度下或脉冲功率吸收时。

六、PCB 与封装注意事项

• 封装尺寸小，适合空间受限布局，但焊接时防止过热。采用标准回流焊工艺时请参考厂商焊接曲线。
• 建议在稳压二极管附近保留足够的散热铜面，避免与热源元件紧密并列。
• 对于防止外界干扰和稳定性能，可在二极管输入端并联适当的滤波电容或串联限流电阻。

七、选型与使用建议

• 若要求更低的电压漂移和更小的动态阻抗，应评估是否需要更高功率等级或不同型号的稳压二极管。
• 设计时根据实际工作电流参考 Zzt 的测试点，确保稳压电压在允许范围内波动。
• 对于精密参考应用，建议采用温度补偿或专用低噪声基准源；ZMM2V0 更适合一般稳压与保护用途。

八、储存与可靠性

• 建议按电子元器件常规规范储存，避免潮湿、高温与强腐蚀性环境。长时间储存应保持原包装，避免受潮。
• 在量产与可靠性验证阶段，应进行电气参数筛选及老化试验，以验证在目标工作条件下的长期稳定性。

如需完整的电气特性曲线、封装尺寸图或焊接工艺资料，可联系华轩阳电子（HXY MOSFET）或提供具体应用条件，我们可协助做更详细的选型与使用建议。