型号:

ZMM11

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装:LL-34
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
ZMM11 产品实物图片
ZMM11 一小时发货
描述:稳压二极管 独立式 11V 10.4V~11.6V 100nA@8.2V
库存数量
库存:
2474
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.154
100+
0.0512
1250+
0.032
2500+
0.025
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
稳压值(标称值)11V
反向电流(Ir)100nA
稳压值(范围)10.4V~11.6V
耗散功率(Pd)500mW
阻抗(Zzt)20Ω
阻抗(Zzk)70Ω

ZMM11 稳压二极管产品概述

一、产品简介

ZMM11 是一款独立式(离散)稳压二极管,标称稳压值为 11V,公差范围 10.4V ~ 11.6V,适用于小功率电压稳压与过压钳位场合。该器件由华轩阳电子(HXY MOSFET)生产,封装为 LL-34 轴向玻璃封装,体积小、结构简单、易于安装与更换。

二、主要电气参数

  • 标称稳压值(Vz):11V
  • 稳压范围:10.4V ~ 11.6V
  • 反向漏电流(Ir):≤100 nA(测量条件:Vr = 8.2V)
  • 耗散功率(Pd):500 mW(最大)
  • 动态阻抗 Zzt:20 Ω(测试电流区)
  • 膝部阻抗 Zzk:70 Ω(低电流或接近击穿膝部时)
  • 封装:LL-34(轴向玻璃)

三、电性能解读与设计意义

  • Pd=500 mW 意味着在理想散热条件下,稳压电流的理论上限约为 Pd/Vz ≈ 45 mA。但实际应用中应考虑封装散热与环境温度,对耗散功率进行降额(建议工作电流远低于最大值以保证长寿命与稳定性)。
  • 低漏电流(100 nA)使其适合高阻抗输入或要求低偏流的参考/检测电路。
  • Zzt=20 Ω 表明在测试点电流下二极管的瞬时动态阻抗较低,稳压性能良好;Zzk=70 Ω 表示在靠近击穿膝部或较低电流时阻抗显著上升,稳压点会偏移,设计时应保证稳压工作点处于推荐电流范围。

四、典型应用

  • 小功率线性稳压或基准电压源(如低成本仪器、传感器供电)
  • 输入过压保护与钳位(保护后级电路或ADC输入)
  • 电平移位、电压参考与偏置电路
  • 电池充电限压与监测电路(低功耗场合)

五、封装与安装注意

LL-34 为轴向玻璃封装,适合通孔安装或手工焊接。安装时应注意:

  • 焊接温度和时间不要过高以免损伤封装与内芯;尽量采用点焊或短时焊接工艺。
  • 避免机械应力和过度弯折引脚;保持引线短且直,以减少寄生电感/电阻。
  • 存储与运输注意防潮、防静电。

六、使用建议

  • 设计限流电阻:采用稳压二极管作分流稳压时,通过选择合适的串联电阻和预估最大输入电压来保证二极管功耗不超过 Pd。
  • 热降额:在高温环境或密集元件布置下,应按温度-功率曲线对 Pd 进行降额处理。
  • 噪声与滤波:若对参考噪声敏感,二极管两端加适当的旁路电容可改善瞬态响应与降低噪声。
  • 长期可靠性:避免长期在接近最大功耗条件下工作,推荐在额定功耗的 30%~60% 区间内设计以延长寿命。

七、小结

ZMM11(HXY MOSFET,LL-34)是一款适用于小功率稳压和保护用途的 11V 稳压二极管,具有低漏电流与适中的动态阻抗,适合对体积、成本和可靠性有平衡要求的电子设计。选用时注意功耗与散热设计,保证稳压工作电流处于器件良好调节区间,以达到稳定可靠的工作效果。