SMBJ6.8A 产品概述

SMBJ6.8A 是华轩阳电子（HXY MOSFET）推出的一款单向瞬态电压抑制器（TVS），采用 SMB（DO-214AA）封装，面向对瞬态过电压有抗冲击保护要求的电源与信号线路。器件在工业级温度范围内工作，能够在瞬态脉冲到来时快速钳位电压，保护下游器件免受过压损坏。

一、主要参数摘要

• 类型：TVS，单向（Unidirectional）
• 钳位电压（Vc，典型）：10.5 V（在峰值脉冲电流工作点）
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 击穿电压 V(BR)：6.45 V ～ 7.14 V（规格范围）
• 反向截止电压 Vrwm（稳压工作电压）：5.8 V
• 峰值脉冲功率 Ppp：600 W（单次脉冲额定）
• 峰值脉冲电流 Ipp：58.1 A（对应钳位电压典型测得点）
• 反向电流 Ir：≤1 mA（在 Vrwm 条件下）
• 封装：SMB（DO-214AA）
• 品牌：HXY MOSFET（华轩阳电子）

二、电气参数说明与影响

• 反向截止电压 Vrwm = 5.8 V：器件在该电压下可长期工作而不进入击穿，适合保护 5 V/6 V 及相近电压轨道。
• 击穿电压 V(BR) 范围 6.45 V ～ 7.14 V：当反向电压超过此范围时进入雪崩导通区，开始限制电压上升。该数值为器件导通起始区间的规格范围。
• 钳位电压 Vc = 10.5 V（典型）：在遭受峰值脉冲电流（Ipp ≈ 58.1 A）时，器件将电压钳在约 10.5 V，迅速吸收能量以保护后端电路。
• 峰值脉冲功率 600 W：指单次短脉冲时器件可吸收的能量峰值能力，设计时应注意该指标为瞬态容量，应避免重复高幅值脉冲长期作用。
• 反向泄漏 Ir ≤ 1 mA：在正常稳态工作电压下的漏电表现，设计电流预算时应考虑该漏电贡献。

三、典型应用场景

• 车载与工业电源轨保护（适用于有较高温度与振动要求的环境）
• 5 V / 6 V 逻辑与通信接口保护（如 USB、电源输入、串口接口等）
• 电源适配器、充电器输入端的浪涌与浪涌电流抑制
• 工业控制、计量与通信设备的过压/雷击脉冲防护

四、PCB 布局与使用建议

• 尽量将 TVS 器件布置在被保护端子的近侧，靠近可能受冲击点（如接口、连接器、保护元件）以缩短回路寄生电感，提升抑制效果。
• 对于重复性或高能量脉冲场合，建议与熔丝、限流电阻或输入滤波电感配合使用，以分担能量并避免器件过热。
• 峰值功率 600 W 为单脉冲额定值；面对多次或连续脉冲，应参照厂商脉冲功率-宽度曲线进行降额使用。
• 焊接建议遵循 SMB 封装的热工规范，避免长时间或高温回流焊对器件性能的影响。
• 工作温度上限 150 ℃ 适合恶劣环境，但在高温下长期运行仍需注意热管理与散热设计。

五、可靠性与选型注意事项

• 选型时应以系统最大可能发生的脉冲幅值与能量为依据，确保 TVS 的 Ppp 与 Ipp 能满足最恶劣工况；必要时并联或串联其它限流元件以提高可靠性。
• 注意与被保护器件的钳位容差匹配，确保在钳位电压下下游器件不会超压损坏。
• 若系统对静电放电（ESD）特别敏感，可与专用 ESD 器件配合使用以获得更优瞬态响应。

六、封装与订购信息

• 封装形式：SMB（DO-214AA），便于自动贴装与焊接，适合中等板级功率抑制场合。
• 型号示例：SMBJ6.8A（HXY MOSFET / 华轩阳电子）
• 订购与数据手册建议向厂商索取完整的特性曲线（脉冲功率-宽度曲线、钳位电压与电流关系、热阻值等）以进行精确设计与热仿真。

小结：SMBJ6.8A 以其较低的钳位电压、较高的峰值功率能力和宽温度范围，适用于中等能量瞬态保护场合，尤其适合工业与汽车电子等对可靠性与耐候性要求较高的应用。选型时请结合系统脉冲特性与热设计进行综合评估。