SMBJ45CA 产品概述

一、产品概况

SMBJ45CA 为华轩阳电子（HXY MOSFET）推出的一款双向瞬态抑制二极管（TVS），采用 SMB（DO-214AA）封装。器件专为保护电源线与数据线免受瞬态过压、雷击以及开关引起的浪涌脉冲而设计，适用于工业控制、电源模块、通信设备及消费电子等场景。

二、主要参数

• 极性：双向（可阻断正、负方向的瞬变电压）
• 反向截止电压 Vrwm：45 V
• 击穿电压 V(BR)：约 50 V ～ 55.3 V
• 钳位电压 Vc（典型）：72.7 V（在指定脉冲条件下测得）
• 峰值脉冲电流 Ipp：8.3 A
• 峰值脉冲功率 Ppp：600 W（基准脉冲条件）
• 反向漏电流 Ir：1 μA（典型）
• 工作温度范围：-65 ℃ ～ +150 ℃

三、特性与优势

器件功率等级高、钳位电压相对确定，能在高幅值短时脉冲下迅速进入导通状态，从而将过电压钳制到安全范围内。双向结构无需额外反向并联，便于保护交流或双向传输线路。低漏电流有助于在待机或精密测量条件下维持系统性能。

四、典型应用场景

• 开关电源与逆变器输入保护
• 串口、数据总线与通信接口防护（如RS‑485）
• 工业控制系统、仪器仪表的浪涌防护
• 车用电子的瞬态保护（需按系统规范确认）

五、封装与可靠性提示

SMB（DO‑214AA）封装兼顾散热与焊接可靠性。建议将TVS器件尽可能靠近被保护端口布局，走线短且低阻，以保证钳位效果和瞬态能量传导。焊接时参照厂家热特性，避免超温影响器件寿命；在高重复冲击场合，应考虑热耗散和能量累计对器件的应力。

六、选型与使用建议

选择时关注系统最大允许工作电压与钳位裕量，确保 Vrwm（45V）高于正常工作电压但低于被保护元器件允许的击穿水平。若脉冲能量或峰值电流高于标称值，应采用功率更高或并联多只器件，并注意并联时均流与热管理。最后，结合实际工作脉冲波形与频率，优先参考厂方完整数据手册进行验证。