MCR100-6 产品概述

MCR100-6 是华轩阳电子（HXY MOSFET）推出的一款小功率单向晶闸管（SCR/可控硅），采用 SOT-23 小型封装，适用于低功率脉冲触发与交流/直流开关控制场合。器件具有低门极触发电压与微安级门极触发电流，便于与低电平驱动电路直接配合使用，特别适合对体积和成本敏感的消费类与工业控制应用。

一、主要参数（典型/最大值）

• 门极触发电压 Vgt：800 mV（典型）
• 门极触发电流 Igt：60 μA（典型）
• 保持电流 Ih：5 mA
• 断态峰值电压 Vdrm：400 V
• 通态峰值电压 Vtm：1.7 V（在指定测试电流下）
• 最大通态电流 It：800 mA（峰值/短时）
• 浪涌电流（单脉冲）：8 A
• 门极平均耗散功率 PG(AV)：100 mW（器件平均功耗限制）
• 封装：SOT-23
• 型号描述：单向可控硅，5 mA 保持，400 V 反向耐压

二、产品特点

• 低门极触发：Vgt≈0.8 V，Igt 仅 60 μA，适合低电平微控制器或光耦驱动；
• 高耐压：400 V 的断态耐压满足普通家电与工业电网控制需求；
• 小封装：SOT-23 适合高密度 PCB 布局与批量消费类应用；
• 快速响应：适用于脉冲触发与短时浪涌场合；
• 低功耗门极：PG(AV)=100 mW，门极耗散低，驱动电路设计简便。

三、典型应用场景

• 小功率交流相控调光与整流（单相半波控制）；
• 电源启动/软启动电路的触发元件；
• 过压/过流保护与低成本固态继电器；
• 家用电器、小功率马达控制与灯光调节；
• 电池充电与断接控制（需注意功耗限制）。

四、设计与使用注意事项

• 持续导通功耗限制：SOT-23 包装的平均耗散仅 100 mW。注意 Vtm≈1.7 V 在较大导通电流时会产生显著功耗（P≈Vtm×I），因此 800 mA 很可能为短时或脉冲能力，持续工作应严格按照数据手册进行热额定与降额设计。
• 门极驱动：虽然 Igt 低，但推荐门极驱动留有余量（例如提供数十微安至数毫安的短脉冲）以保证可靠触发与抗干扰能力。可在门极与触发源之间并联小电阻或 RC 以抑制噪声。
• dv/dt 抗扰动：高 dv/dt 环境下建议在阳极—阴极串联 RC 抑制网络（阻容吸收电路）和必要的箝位元件，以防误触发。
• 浪涌与保护：器件单脉冲浪涌能力为 8 A，应用中建议使用限流、熔断或热敏保护避免超出器件极限。
• ESD 与焊接：门极敏感，生产与装配时应做好静电防护；按照推荐回流曲线进行焊接，避免长时间高温。

五、封装与引脚（典型）

SOT-23 三脚封装——典型引脚排列（不同厂家可能有差异，请以最终数据手册为准）：

• Pin1：Gate（门极）
• Pin2：Cathode（阴极）
• Pin3：Anode（阳极）

六、热管理与可靠性建议

• 在 PCB 设计中增加铜箔面积以扩散热量，必要时在阳极处增加散热铜层；
• 对连续导通应用，推荐选择更大封装或外部散热措施，避免器件长期在高温或功耗接近 PG(AV) 的工况下工作；
• 在高温环境下对电流进行降额设计，保证长期可靠性。

七、选型建议

• 若设计为持续大电流导通（≥几百毫安）或需要高功耗承受，建议改用更大封装或功率型 SCR；
• 对于需要低触发电流与紧凑空间的控制与脉冲开关场合，MCR100-6 在合适的热管理和浪涌保护下是性价比较高的选择。

备注：本文为器件概述与设计注意事项摘要，实际设计请以华轩阳电子提供的完整数据手册为准，并进行必要的样机验证与热仿真。