13001 产品概述

一、产品简介

13001 为 HXY MOSFET（华轩阳电子）出品的一款高压小信号 NPN 双极型晶体管，采用 SOT-23 封装，面向需要高阻断电压与中等电流能力的开关与放大场合。器件体积小、成本低，适合在空间受限且需承受较高集电极电压的电路中使用。

二、主要参数

• 晶体管类型：NPN（BJT）
• 集电极-发射极击穿电压 Vceo：450 V
• 集电极电流 Ic（最大）：200 mA
• 直流电流增益 hFE：18 @ Ic=20 mA, Vce=20 V
• 特征频率 fT：8 MHz（中等频率响应）
• 集电极截止电流 Icbo：100 μA（高压条件下的漏泄值）
• 耗散功率 Pd：300 mW（SOT-23 封装）
• 射极-基极击穿电压 Vebo：7 V
• 集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)：约 400 mV（典型测试条件下）

三、性能特点

• 高压耐受：450 V 的 Vceo 使其适用于高压脉冲和隔离型电源开关场合。
• 中等增益与频率：hFE 约 18，fT 8 MHz，适合低频放大与一般开关，不适合高频射频应用。
• 小体积封装：SOT-23 便于批量装配和空间受限的应用，但限制了热耗散能力。
• 漏电控制：Icbo 在高压下保持在 μA 级，有利于静态功耗控制，但在高温下需注意泄漏上升。

四、典型应用

• 开关电源次级/次级侧驱动与保护电路的高压开关元件；
• 电池管理与电源检测电路；
• 高压脉冲驱动、继电器驱动和小功率升压电路；
• 一般低频放大与信号处理电路（非射频）。

五、封装与热管理

SOT-23 封装方便贴片组装，但 Pd=300 mW 限制了连续功率输出能力。建议在 PCB 设计中使用较大片铜箔散热、缩短导热路径并尽量在脉冲工作或低占空比场合使用；若连续导通，需保证结温与环境温度的安全余量。

六、选型与使用建议

• 驱动基极时应配合合适基阻，按 hFE 估算所需基极电流（例如 20 mA 集电极时 hFE≈18）；
• 避免基-射极超过 Vebo（7 V），防止基极反向击穿；
• 在高压应用中关注 Icbo 与漏电随温度上升的影响，必要时采用并联或替代更大功率器件；
• 设计时考虑 VCE(sat) 与功耗，留足余量以延长器件寿命。

总体而言，13001 适合对耐压要求高、功率要求中等且成本敏感的应用场合。在使用时重点关注热管理与驱动匹配，以发挥其高压小信号晶体管的优势。