IPD80R4K5P7ATMA1 产品概述

一、概述

IPD80R4K5P7ATMA1 是英飞凌（Infineon）的一款高压 N 沟增强型场效应管（MOSFET），适用于中低电流、800V 级别的开关场合。器件工作温度范围宽（-55℃ 到 +150℃），单片封装 TO-252（DPAK），针对离线电源、反激/续流开关和高压开关级的可靠性与耐压需求进行了优化。

二、主要特点

• 漏源电压（Vdss）高达 800V，适合直接承受整流后高压总线或离线工况。
• 导通电阻 RDS(on) = 4.5Ω（Vgs = 10V），在高压低电流场合具有可接受的导通损耗。
• 漏极连续电流 Id = 1.5A，功耗 Pd = 13W（器件极限，需按热设计考虑）。
• 小输出电容 Coss = 3pF 与较低的反向传输电容 Crss = 3pF@500V，有利于降低开关损耗和缓冲能量。
• 输入电容 Ciss = 80pF，门极电荷 Qg = 4nC@10V，门驱动需求低，易实现快速开关。
• 栅极阈值 Vgs(th) ≈ 3V（测试电流 20µA），推荐采用 10V 门驱动以达到标称 RDS(on)。

三、关键电气参数

• 类型：N 沟道 MOSFET
• Vdss：800V
• RDS(on)：4.5Ω @ Vgs = 10V
• Id（连续）：1.5A
• Pd（耗散功率）：13W
• Ciss / Coss / Crss：80pF / 3pF / 3pF（Crss 标注于 500V）
• Qg：4nC @ 10V
• 工作温度：-55℃ ～ +150℃
• 封装：TO-252（DPAK）

四、典型应用

• 离线开关电源（反激式、正激式）高压开关管
• 功率因数校正（PFC）启动/辅助电路的高压侧开关
• LED 恒流与高压驱动器
• 工业传感与高压保护电路中的开关元件
• 中小功率变换器的次级/主开关场合

五、封装与热管理

TO-252（DPAK）为表面贴装功率封装，适合自动贴装与回流焊。器件额定耗散 13W（需在特定 PCB 环境与散热条件下确认）。建议：

• 在 PCB 上使用大面积散热铜箔（连接至底部散热垫和散热层）并通过多孔过孔进行热传导。
• 确保封装引脚与散热垫的焊接完整，以降低结-壳、结-环境热阻。
• 在高温或连续工作工况下按结温限制设计，避免超出最大结温。

六、驱动与版图建议

• 推荐门极驱动电压 10V，以获得标称 RDS(on) 和稳定的导通性能；门极电荷仅 4nC，门驱动器尺寸可较小。
• 由于 Crss 和 Coss 较小，可实现相对较快的开关，但仍建议在电路中加入合适的阻尼（门电阻）和/或能量箝位（RCD 或 TVS）以控制过冲、振铃与应力。
• PCB 布局应尽量缩短开关回路环路面积，减小 EMI 与寄生电感；高压节点与敏感控制回路隔离布局。

七、使用注意事项

• 800V 级器件在开关瞬态中可能出现大电压应力，设计时应留有足够的安全裕量并配置吸收/箝位元件。
• RDS(on) 在低 Vgs 或高结温下会上升，实际导通损耗应基于工作温度与驱动电压计算。
• 器件未提供能量吸收（Avalanche）详细参数时，不建议在未经评估的强耗散反向能量情形下直接使用，必要时添加外部限压电路。

如需该型号的详细规范表（完整的电气特性、温度曲线、开关波形与可靠性数据），建议参考英飞凌官方数据手册或联系供应商获取原厂资料。