AT817B-FeH-DE 产品概述

一、产品简介

AT817B-FeH-DE 是 AOTE（奥特）生产的光耦合器，采用 DIP-4 封装，输入为直流驱动的红外发光二极管，输出为光电三极管。器件以高隔离电压与宽工作温度范围为特点，适合在工业控制、测控系统和微处理器接口等场合进行电气隔离与信号传输。

二、主要特性

• 隔离电压（工作）：5 kV rms，满足高压隔离要求。
• 输入类型：DC（发光二极管驱动）。正向压降 Vf ≈ 1.2 V，允许最大正向电流 If = 50 mA，直流反向耐压 Vr = 6 V。
• 输出类型：光电三极管，最高负载电压可达 80 V，最大输出电流（Ic）50 mA。
• 电流传输比（CTR）：最小 80%，最大 / 饱和值可达 600%，实际设计时需按最小值进行裕量计算。
• 开关特性：上升时间 tr ≈ 4 μs，下降时间 tf ≈ 3 μs，适用于中速数字信号隔离。
• 集-射极饱和电压 VCE(sat)：约 200 mV（在指定测试条件下，如小电流时典型值）。
• 工作温度范围：-55 ℃ 至 +110 ℃。
• 封装：DIP-4，单通道输出。

三、典型应用

• MCU 与高压侧电路之间的逻辑隔离。
• 工业控制信号隔离（PLC、驱动器输入）。
• 电源管理与测量系统的信号耦合和干扰抑制。
• 继电器驱动、开关状态检测等。

四、设计要点与注意事项

• CTR 波动大：器件 CTR 范围宽（80%–600%），实际电路设计必须以最小 CTR（80%）为依据选择 LED 驱动电流与输出负载，以确保在最差状况下满足输出电流要求。
• LED 驱动与限流：考虑 Vf≈1.2 V，按所需 If 计算串联限流电阻。若反向电压存在，应避免超过 Vr=6 V。
• 输出侧拉电阻与电压：输出集电极可承受高达 80 V 的负载电压，但输出电流上限 50 mA，若需要低饱和压，请在小电流（例如 1–20 mA）条件下工作，可取得较低 VCE(sat)（约 200 mV）。
• 开关速度：tr≈4 μs、tf≈3 μs，适用于中等速率信号，若用于高速数字隔离需考虑更快器件或采用专用数字隔离芯片。
• 热与寿命：在高 If 或高 Ic 条件下注意功耗与热量积累，遵循最大额定值并留有足够散热空间。工作温度范围宽，但长时间高温运行会影响 CTR 与寿命。
• PCB 布局：保证输入输出之间足够的爬电距离和绝缘处理，以发挥 5 kV 隔离能力；对高电压侧增加防护元件（如限流、滤波）以提高可靠性。
• 静电与搬运：光耦内含半导体器件，搬运时注意防静电措施。

五、典型电路示例（说明）

• 输入侧：Vcc_in → 串联限流电阻 → LED(光耦输入) → GND。限流电阻按所需 If 与 Vf 计算，考虑最坏温度与差异。
• 输出侧：Vcc_out → 拉高电阻 → 光电三极管集电极；发射极接地（或参考电位）。根据负载电压与目标输出电流选择拉高电阻值，确保在最小 CTR 条件下输出能够驱动下游电路。

总结：AT817B-FeH-DE 是一款适合中速信号隔离、具备高隔离电压和宽温度范围的光电三极管输出光耦。设计时重点注意 CTR 的宽范围、LED 驱动电流限制与输出侧电压、电流配比，以保证在最差条件下系统仍能稳定工作。