LGS4056HDA-4.35 产品概述

一、简介

LGS4056HDA-4.35 是棱晶半导体（Legend‑Si）面向单节可充电锂电池的充电管理芯片，支持高压 4.35V 充饱和电压，适用于要求更高终点电压的电池系统。芯片工作电压范围广（4V–6V），最大充电电流达 1A，并具备电池温度检测与 0V 唤醒充电能力，适合便携、工业与低功耗场景。

二、主要特点

• 充电架构：适配单节电池的恒流/恒压（CC/CV）充电策略（常规充电流程）。
• 工作电压：4V ~ 6V，兼容常见 USB 及适配器输入。
• 最大充电电流：1A（可编程/受外部元件与热限限制）。
• 充饱和电压：4.35V（针对高压锂电池化学体系）。
• 静态电流（Iq）：40μA，适合电池供电时间长的应用。
• 支持电池温度检测和 0V 电池唤醒充电功能。
• 工作温度：-40℃ ~ +85℃，适用工业级环境。
• 封装：DFN‑8（2×2），小尺寸，利于高密度 PCB 布局。

三、电气与环境参数（摘要）

• 芯片类型：充电芯片（单节）。
• 输入/工作范围：4V 至 6V。
• 终止电压：4.35V（充饱和电压）。
• 最大充电电流：1A。
• 静态电流：40μA。
• 环境温度：-40℃～+85℃。
• 电池温度检测：支持；0V 充电：支持。

四、典型功能与保护

LGS4056HDA-4.35 支持常见的电池管理需求：充电电流限制、恒压终止、温度监测以防止过冷或过热充电，以及对深度放电（0V）电池的唤醒能力。芯片的低静态电流有助于降低待机损耗，延长系统静态寿命。具体的过流、过温与故障保护策略应参考器件详细资料与应用手册进行参数配套设计。

五、封装与热管理建议

DFN‑8（2×2）封装体积小、导热路径集中。建议在 PCB 下方设计较大的散热焊盘并合理分配热铜，确保在 1A 充电时芯片及周边元件的温升可控；同时布局应缩短功率回路的走线以降低寄生阻抗。

六、典型应用

• 单节高电压锂离子/聚合物电池充电（4.35V标称）。
• 便携式消费电子（蓝牙设备、无人机遥控器等）。
• 小型工业设备与便携式工具。
• 需要低静态电流和 0V 唤醒能力的电池供电系统。

七、设计注意事项

• 确认所用电芯化学体系允许 4.35V 终点电压；若电池仅适合 4.2V，则不可直接使用本型号的 4.35V 配置。
• 充电电流应结合电池厂商建议与 PCB 热能力设置，必要时通过外部电阻或电流检测元件限制至安全值。
• 电池温度检测元件（NTC 等）的布局应靠近电池，以获得真实温度反馈。
• 在高温环境或长时间 1A 充电工况下，评估热降额并采取散热增强措施。

八、封装与采购信息

• 品牌：Legend‑Si（棱晶半导体）
• 产品型号：LGS4056HDA‑4.35
• 封装：DFN‑8（2×2）
  如需原理图参考、典型应用电路或详细电气参数（引脚功能、推荐外围元件数值、保护限值等），建议参考官方 datasheet 或联系供应商获取最新技术手册与布局指南。