BAV99S 产品概述

一、产品简介

BAV99S 为双二极管串联式开关二极管（2对串联式），由 HXY MOSFET（华轩阳电子）提供，封装为 SOT-363。器件针对高速切换与小信号整流场景优化，体积小、响应快，适合表面贴装（SMT）工艺与高密度电路板设计。典型应用包括信号整形、夹位保护、混合信号电路的电平转换与高频小电流整流。

二、主要特性

• 二极管配置：双二极管，2对串联式（每对串联结构，SOT-363 封装内含两对）。
• 正向压降：Vf = 1.25 V @ 150 mA（典型值，设计时应留有裕量）。
• 直流反向耐压：Vr = 85 V。
• 正向整流电流：IF = 150 mA（连续直流）。
• 峰值浪涌电流：Ifsm = 2.5 A（非重复、短时冲击）。
• 功耗耗散：Pd = 200 mW（封装热限制，需按环境温度降额使用）。
• 反向电流：Ir ≈ 1 μA（在额定 Vr 条件下的典型值，随温度上升而增加）。
• 反向恢复时间：Trr = 6 ns，适用于高频开关与快速脉冲应用。
• 工作结温范围：-40 ℃ ～ +150 ℃。

三、典型应用

• 高速开关与混合信号逻辑接口中的保护与钳位电路。
• 高频小功率整流与恢复型整流场合。
• 射频前端的保护及二次级稳压回路。
• 功率受限的便携设备、传感器接口与通信模块中作为夹位/耦合元件。

四、电气参数要点与设计建议

• 正向压降在高电流（150 mA）时可达 ~1.25 V，若电路对压降敏感，应考虑并联或选择更低 Vf 的器件。
• 连续工作电流应不超过 150 mA，且需结合 PCB 散热情况按温度降额；Pd 为 200 mW，实际可用功耗随焊盘与板温升显著变化。
• 反向耐压 85 V，适合中低压保护场景；高温时反向漏流会上升，需留余量。
• 反向恢复时间仅 6 ns，适合高速开关，但在极高频或严格低损耗场景仍需评估开关损耗与寄生参数。
• 峰值浪涌 Ifsm 为短时抗冲击能力，不能作为长期过载条件。

五、封装与热管理建议

SOT-363 封装体积小，焊盘与铜箔散热能力有限。建议：

• 在焊盘下方与周围加大铜箔面积以提高散热。
• 在高环境温度或连续较大电流工况下进行热仿真或测量，必要时降低额定工作电流。
• 焊接工艺遵循回流曲线，避免过高温度与长时间暴露以保护器件可靠性。

六、选型与使用注意事项

• 若电路需更低正向压降或更大功率，应选用更大封装或并联方案并评估均流问题。
• 在高温环境下注意漏电流增长、正向压降变化及 Pd 降额。
• 对于高频高速应用，注意与 PCB 布线的寄生电容、电感配合，保证恢复特性发挥。
• 购买时确认供应商型号与参数一致，HXY MOSFET（华轩阳电子）提供的 BAV99S 可满足常见小信号高速开关与保护需求。

如需器件详细电气表格、典型特性曲线或建议的参考电路图，可提供具体应用场景后进一步补充。