型号:

RBR3MM60ATFTR

品牌:ROHM(罗姆)
封装:SOD-123FL
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
RBR3MM60ATFTR 产品实物图片
RBR3MM60ATFTR 一小时发货
描述:肖特基二极管 独立式 660mV@3A 60V 3A
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.78715
3000+
0.73525
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)660mV@3A
直流反向耐压(Vr)60V
整流电流3A
反向电流(Ir)100uA@60V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)30A

RBR3MM60ATFTR 产品概述

一、产品简介

RBR3MM60ATFTR 是 ROHM(罗姆)公司推出的一款独立式肖特基整流二极管,封装为 SOD-123FL。该器件侧重于低正向压降与中等电压耐受能力的组合,适合在需要高效率整流与快速恢复的电源与保护电路中使用。器件体积小、响应快,适合空间受限且对功率损耗有要求的应用环境。

二、主要参数

  • 器件类型:肖特基二极管(独立式)
  • 正向压降(Vf):660 mV @ IF = 3 A
  • 直流反向耐压(Vr):60 V
  • 整流电流(连续):3 A
  • 反向电流(Ir):100 μA @ Vr = 60 V
  • 非重复峰值冲击电流(Ifsm):30 A
  • 封装:SOD-123FL
  • 品牌:ROHM(罗姆)

以上参数为器件特性中关键的电气指标,选型时应以实际工作电流、电压和温升条件为准并参考原厂完整数据手册。

三、主要特性与优势

  • 低正向压降:660 mV(3 A)相比通用硅整流二极管有明显的导通损耗优势,有利于降低整流过程中的功率损耗与发热,提高整机效率。
  • 快速响应:肖特基结构本征少量子恢复,适合开关电源、DC-DC 转换器等快速变化电流场合。
  • 适中耐压:60 V 的反向耐压对多数 12 V/24 V 车载与工业电源系统已足够,但在高压场合需注意选择更高耐压型号。
  • 峰值冲击能力:30 A 的非重复峰值浪涌电流允许器件承受短时启动或浪涌电流,增加系统的抗冲击能力。
  • 紧凑封装:SOD-123FL 提供较小的占板面积和低高度特性,便于高密度布板与轻薄化设计。

四、典型应用场景

  • 开关电源输出整流(低压大电流场合)
  • DC-DC 降压模块的自由轮恢复与二次整流
  • 直流电源保护(反向电源保护、OR-ing 电路)
  • 车载电子(12V/24V 系统)的整流与保护(需考虑瞬态电压抑制)
  • 充电器、电源适配器与工业控制电源的整流与续流

五、封装与热管理要点

  • 封装为 SOD-123FL,具有小型化和良好的焊接可靠性。装配时应遵循 ROHM 给出的推荐 PCB 焊盘尺寸与回流温度曲线,避免过热或引脚应力导致焊点失效。
  • 虽然器件正向压降较低,但在连续 3 A 工作条件下仍有显著功耗(P ≈ Vf × IF),需通过铜箔加厚、散热面或靠近散热体布线来改善热阻,保证结温在器件允许范围内。
  • 在高温环境或高电流重复工作下,反向漏电流会随温度上升显著增加,应留有热裕度并在热仿真中验证结温。

六、选型与使用建议

  • 若工作电流接近 3 A,优先关注实际 PCB 热阻与周围器件的热耦合,必要时考虑并联多只器件或选择更低 Vf/更大封装的型号。
  • 对于存在高压瞬态(如汽车启动浪涌、感性负载开断等)的应用,建议在器件两端增加适当的抑制元件(TVS)、RC 吸收或选用更高 Vr 等级的二极管以提高系统可靠性。
  • 关注反向漏电随温度上升的变化:在高温场合应核算漏电导致的静态损耗与发热。
  • 评估 Ifsm 指标是否满足系统的启动或短路浪涌需求,若浪涌持续时间较长需采用额外保护或选择更高冲击能力器件。

七、可靠性与注意事项

  • 器件寿命与可靠性与工作结温直接相关。设计时确保在最大环境温度和最大负载下结温不过高,避免热失效。
  • 焊接和回流过程要严格按照厂方资料执行,以防封装应力或材料退化导致可靠性下降。
  • 在多器件并联使用时应采取电流均流措施(串联小阻值或温度匹配),避免单只器件过载。

总结:RBR3MM60ATFTR 是一款面向中等电流、低压降需求的肖特基整流二极管,适合需要高效率整流和空间受限的电源及保护电路。选型时需结合实际电流、工作温度和浪涌条件进行热设计与保护电路配合,以确保长期可靠运行。若需更详细的电气特性、热阻和封装尺寸,请参阅 ROHM 的原厂数据手册。