型号:

LM6132BIMX/NOPB

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOIC-8
批次:24+
包装:编带
重量:0.109g
其他:
LM6132BIMX/NOPB 产品实物图片
LM6132BIMX/NOPB 一小时发货
描述:运算放大器 14V/us 双路 125nA 11MHz
库存数量
库存:
1293
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
10.03
2500+
9.7
产品参数
属性参数值
放大器数2
最大电源宽度(Vdd-Vss)24V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBW)10MHz
输入失调电压(Vos)2mV
输入失调电压温漂(Vos TC)5uV/℃
压摆率(SR)12V/us
输入偏置电流(Ib)110nA
输入失调电流(Ios)3.4nA
输入电压噪声密度(eN)27nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)100dB
静态电流(Iq)360uA
输出电流4mA
工作温度-40℃~+85℃
单电源电压2.7V~24V

LM6132BIMX/NOPB 产品概述

一、器件简介

LM6132BIMX/NOPB 是德州仪器(TI)提供的一款双路运算放大器,面向对噪声、共模抑制和轨到轨性能有较高要求的便携及工业应用。器件支持轨到轨输入和轨到轨输出,单电源工作范围宽(2.7V 至 24V),适用于单电源供电的信号调理场景。封装为 SOIC-8,满足常见的电路板布局和自动贴装需求。

二、关键性能参数(概述)

  • 共模抑制比(CMRR):100 dB(典型,保证共模干扰抑制能力)
  • 输入等效噪声密度(eN):27 nV/√Hz @ 1 kHz(低噪声,适合低电平信号放大)
  • 增益带宽积(GBP):约 10 MHz(高增益下仍能保持稳定带宽)
  • 压摆率(SR):典型 12 V/µs(在部分工况下可达更高值)
  • 输入失调电压(Vos):2 mV,温漂(Vos TC)约 5 µV/°C(低漂移)
  • 输入偏置电流(Ib):110 nA,输入失调电流(Ios):3.4 nA
  • 静态电流(Iq):360 µA(每通道功耗低,适合电池供电场合)
  • 输出电流能力:约 4 mA(适合驱动常见的后级负载)
  • 工作温度范围:-40 ℃ 至 +85 ℃
  • 最大电源电压差(VDD − VSS):可达 24 V

三、典型应用场景

  • 传感器信号调理:低噪声、高 CMRR 有助于放大来自差分传感器(例如桥式压力、应变片)的微小信号。
  • 精密滤波与积分电路:GBP 与低噪声特性使其适合二阶有源滤波器和慢速积分器应用。
  • 便携式仪器与数据采集前端:低功耗、轨到轨输入输出与宽供电电压支持电池供电系统。
  • 工业控制接口:宽温度范围与较高的共模抑制适应工业环境干扰。

四、设计与使用建议

  • 轨到轨性能在靠近电源轨时仍可能受输出驱动能力限制,设计时预留一定的头部空间以保证线性度。
  • 在高增益或高速切换场合,注意布局去耦:在 VCC 与 GND 近端放置 0.1 µF 陶瓷电容与相应的大容量电解旁路,以抑制电源噪声和瞬态。
  • 若需最小化失调和漂移,建议添加输入偏置电流补偿或使用合适的输入偏置网络。
  • 对噪声敏感的应用可采用差分输入布局、短输入走线并减少高阻抗节点的寄生容抗。

五、封装与合规性

  • 封装:SOIC-8,便捷于波峰/回流焊装配。
  • 标准型号后缀 NOPB 表示无铅(No Pb),符合 ROHS 要求,适合多种环保与可靠性要求的项目。

六、总结

LM6132BIMX/NOPB 以其低噪声、高 CMRR、轨到轨输入输出和宽供电范围,成为传感器前端、便携仪表及工业信号调理电路中的理想选择。设计时结合适当的去耦、布局与偏置补偿,可发挥其在精密放大与低功耗应用中的优势。若需要更详细的电气特性曲线、典型应用电路与封装尺寸,请参考 TI 官方器件数据手册以获取完整规范与测试条件。