型号:

BSD3C081V

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOD-323
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
BSD3C081V 产品实物图片
BSD3C081V 一小时发货
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) BSD3C081V
库存数量
库存:
2900
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.22
3000+
0.195
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)8V
钳位电压27V
峰值脉冲电流(Ipp)15A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)400W@8/20us
击穿电压9V
反向电流(Ir)1uA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容45pF

BSD3C081V 产品概述

一、产品简介

BSD3C081V 是来自 BORN(伯恩半导体)的一款小型 SOD-323 封装的双向瞬态电压抑制器(TVS/ESD)。该器件专为静电放电(ESD)和浪涌(Surge)保护设计,适用于对 PCB 空间要求高且需要可靠浪涌保护的消费类及工业电子设备。

二、主要参数

  • 极性:双向(适用于交流或差分信号线)
  • 反向工作电压 Vrwm:8 V
  • 击穿电压 Vbr:9 V(典型)
  • 钳位电压 Vc:27 V(典型)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:15 A(8/20 μs 波形)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:400 W(8/20 μs)
  • 反向漏电流 Ir:1 μA(在 Vrwm 条件下)
  • 结电容 Cj:45 pF
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2 / 4-4 / 4-5 标准

三、产品特点

  • 双向结构,可直接并联在差分信号对或电源线上,提供正负向过压保护。
  • 高峰值冲击能力(15 A@8/20 μs,400 W),在典型浪涌事件中提供可靠钳位。
  • 低漏电流(1 μA),对待测电路的静态功耗影响极小。
  • 小尺寸 SOD-323 封装,便于在紧凑电路板上布局。

四、典型应用场景

  • 接口保护:USB、串口、GPIO 等低中速差分/单端信号线。
  • 电源防护:小功率供电轨的瞬态浪涌抑制。
  • 工业与消费电子:控制模块、传感器接口、显示与多媒体设备。
  • 可在有 IEC 61000 系列 ESD/浪涌要求的系统中作为第一道保护元件。

五、选型与布局建议

  • 结电容 45 pF 对高速差分总线(如高速 USB/HDMI)可能影响信号完整性,推荐用于低至中速信号或电源线保护。
  • 放置位置应尽量靠近被保护器件的输入端或接口处,焊盘到器件的导线/走线长度越短越好,以减小寄生感抗。
  • 对需要更高能量吸收或更低钳位的应用,可考虑并联或级联其他浪涌保护器件,但需评估热与触发特性匹配。

六、封装与焊接

SOD-323 小体积封装,支持常规回流焊工艺。焊接时保持焊盘设计与热特性匹配,避免长时间过热。建议遵循器件供应商的回流温度曲线与PCB焊盘推荐。

七、订购信息

型号:BSD3C081V
品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOD-323
在选购与替换时,请确认 Vrwm、钳位电压、Ipp 与结电容等关键参数满足系统要求。

如需更详细的电气特性曲线、封装尺寸或应用参考电路,可联系供应商索取完整数据手册。