PESD5V0V1BB-N 产品概述

一、产品简介

PESD5V0V1BB-N 是 BORN（伯恩半导体）推出的一款双向 ESD/浪涌保护器件，采用超小型 SOD-523 封装，专为对 5V 及附近电压等级的信号与电源线路提供瞬态过压保护而设计。器件满足 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 与 IEC 61000-4-5 等抗干扰标准，适用于各类消费电子与工业接口保护。

二、主要特点

• 双向结构，无需区分极性，便于对差分或双向传输线进行防护；
• 反向截止电压 Vrwm = 5V，适合 5V 逻辑/接口电平保护；
• 击穿电压约 6V，钳位电压可达 15V（在规定脉冲条件下）；
• 峰值脉冲功率 90W（8/20µs 波形），峰值脉冲电流 Ipp = 8A；
• 结电容约 18pF，对中低速数据信号影响较小；
• 反向漏电流 Ir ≈ 200nA，静态功耗极低；
• SOD-523 超小封装，适合空间受限、贴片自动化生产。

三、典型技术参数摘要

• 类型：ESD 双向 TVS
• 钳位电压（Vc）：15V
• 击穿电压（Vbr）：6V
• 反向截止电压（Vrwm）：5V
• 峰值脉冲功率（Ppp）：90W @ 8/20µs
• 峰值脉冲电流（Ipp）：8A
• 结电容（Cj）：18pF
• 反向电流（Ir）：200nA
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2 / 4-4 / 4-5 标准
• 封装：SOD-523（表面贴装）

四、典型应用场景

• USB、串口、I2C、SPI 等 5V 及低压接口防护；
• 工业控制信号线、继电器驱动控制线的瞬态浪涌保护；
• 手机配件、可穿戴、智能家居等消费电子的接口防护；
• PCB 外围输入/输出端口、天线馈线前端的静电放电快速吸收。

五、设计与布局建议

• 器件应尽可能靠近被保护的引脚或连接器放置，走线要短且直；
• 为提高吸收效率，器件到接地面的过孔与接地铜箔应尽量短、低阻；
• 对于高速差分信号，需评估 18pF 的结电容对信号完整性的影响，必要时采用专用低容 TVS 或隔离措施；
• 在高能量浪涌应用中，配合系列阻抗、滤波网络或浪涌抑制器使用以分担能量。

六、保护原理与等效关系

PESD5V0V1BB-N 在正常工作时表现为高阻抗（漏电小），当瞬态电压超过器件击穿门限时，进入低阻导通状态，将能量导入地或回路，钳制电压在规定范围内，保护下游敏感器件免受过压冲击。双向结构对正负极性瞬态均能响应，适合交流或双向脉冲环境。

七、封装与可靠性

SOD-523 封装体积小、适合自动贴装与高密度布局；器件通过 IEC 标准测试，具备良好的抗静电放电和脉冲抗扰性，适合大批量电子产品的可靠性设计需求。

总结：PESD5V0V1BB-N 以其小封装、面向 5V 级别的反向耐压、较高的脉冲能量吸收能力及低漏电特性，成为接口与信号线瞬态保护的实用选择。在设计中注意布局优化与结电容对高速信号的影响，可获得稳定可靠的系统防护效果。