CUS08F30,H3F(T) 产品概述

一、产品简介

CUS08F30,H3F(T) 为东芝（TOSHIBA）出品的小信号肖特基二极管，采用SOD-323小封装，面向需要低正向压降和高速恢复的整流/保护场合。其典型正向压降为 Vf = 450 mV（在 IF = 800 mA 时），直流反向耐压 Vr = 30 V，额定整流电流 IF（连续）为 800 mA，反向漏电流 Ir ≤ 50 μA（在 Vr = 30 V 时），非重复峰值浪涌电流 Ifsm 可达 5 A，适合空间受限且强调效率与响应速度的设计。

二、主要参数要点

• 型号：CUS08F30,H3F(T)（TOSHIBA）
• 封装：SOD-323（小型表面贴装）
• 正向压降：Vf = 450 mV @ IF = 800 mA
• 额定整流电流：IF = 800 mA（连续）
• 直流反向耐压：Vr = 30 V
• 反向漏电流：Ir ≤ 50 μA @ Vr = 30 V
• 非重复峰值浪涌电流：Ifsm = 5 A
• 结构：肖特基势垒，低势垒电压、快恢复

三、典型应用

• 开关电源与DC-DC变换器中的输出整流（中低电流场合）
• 反并联续流（freewheeling）二极管用于功率开关器件保护
• 电源输入反向保护、极性保护电路
• 信号钳位、检测电路及高频整流场合

四、性能优势与限制

优势：低正向压降可降低导通损耗、提高效率；肖特基结构响应快、开关损耗小；小尺寸封装便于高密度布板。限制：SOD-323 散热能力受限，连续大电流下需注意结温；反向漏电在高温下会增大，不适用于高耐压或高漏电敏感的应用。

五、电路与热设计建议

• 布线尽量缩短正负回路，减少寄生电阻和感抗；贴近封装设置旁路电容与磁环。
• 若连续接近额定 IF 工作，应评估结温与PCB散热（加宽铜箔、必要时加散热垫或多个过孔）。
• 浪涌情况（Ifsm）仅为非重复峰值，避免频繁或长时间的冲击电流。
• 对于反向漏电敏感应用，可在实际温度下测量 Ir 并预留余量。

六、封装与焊接注意事项

遵循东芝推荐的焊接回流曲线及SMD工艺规范，避免超温/超时的氧化和翘曲。小封装在回流时易受热，应控制回流峰值与加热速率；在拆焊或手工焊接时注意局部过热可能损伤器件性能。

七、选型与替代建议

如需更高Vr或更低Vf可考虑其他肖特基型号或不同封装；若需要更强散热能力，应选用功率型封装（SOD-123、SOD-128、DO-214等）或并联多颗器件时小心电流分配和平衡。

总结：CUS08F30,H3F(T) 以低Vf、快响应与小尺寸为核心优势，适合中低功率、高密度电源及保护电路；在设计时应综合考虑热管理和反向漏电对系统的影响，以确保长期可靠性与性能稳定。