型号:

BU4S11G2-TR

品牌:ROHM(罗姆)
封装:SSOP-5-1.6mm
批次:25+
包装:编带
重量:0.039g
其他:
BU4S11G2-TR 产品实物图片
BU4S11G2-TR 一小时发货
描述:与非门-IC-1-通道-5-SSOP
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.881
3000+
0.835
产品参数
属性参数值
逻辑类型与非门
通道数1
工作电压3V~16V
静态电流(Iq)1uA
灌电流(IOL)3.4mA
拉电流(IOH)3.4mA
输入高电平(VIH)3.5V~11V
输入低电平(VIL)1.5V~4V
输出高电平(VOH)9.95V;4.95V;14.95V
输出低电平(VOL)50mV
系列4S系列
传播延迟(tpd)30ns@15V,50pF
工作温度-40℃~+85℃
输入通道数2

BU4S11G2-TR 产品概述

一、产品简介

BU4S11G2-TR 是 ROHM(罗姆)推出的单通道双输入与非门(NAND)逻辑 IC,属于 4S 系列。器件工作电压范围宽(3V~16V),静态电流极小(典型 1 μA),适合对功耗敏感且需宽电源范围的工业与消费类电子系统。封装为 SSOP-5(厚度 1.6 mm),单颗芯片内集成 1 个 2 输入与非门,适合空间受限的 PCB 布局与自动化贴装(TR 卷带盘装)。

二、主要特性

  • 逻辑类型:与非门(NAND),1 通道、2 个输入
  • 工作电压:3 V ~ 16 V(宽电源范围)
  • 极低静态电流(Iq):典型 1 μA,适合低功耗应用
  • 驱动能力:IOH / IOL = 3.4 mA(输出可驱动小负载)
  • 快速响应:传播延迟 tpd = 30 ns(VCC = 15 V,CL = 50 pF)
  • 输入阈值(随 VCC 变化):VIH 约 3.5 V ~ 11 V;VIL 约 1.5 V ~ 4 V
  • 输出电平(典型 VOH):在 VCC = 5 V 时 ≈ 4.95 V;VCC = 10 V 时 ≈ 9.95 V;VCC = 15 V 时 ≈ 14.95 V
  • 输出低电平(典型 VOL):50 mV
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +85 ℃

三、电气性能摘要(典型值)

  • 输出高电平 VOH:≈4.95 V(VCC=5V)、≈9.95 V(VCC=10V)、≈14.95 V(VCC=15V)
  • 输出低电平 VOL:50 mV(典型)
  • 输出驱动:IOH/IOL = 3.4 mA(源/漏)
  • 传播延迟:30 ns @ VCC=15V, CL=50pF
  • 静态电流:Iq ≈ 1 μA(静态功耗低)

四、封装与引脚信息

  • 封装类型:SSOP-5(5 引脚,厚度 1.6 mm),适合自动贴装与节省 PCB 面积
  • 封装用途:单通道 NAND,常用于接口缓冲、逻辑判断、门控控制等场合
    (具体引脚功能与封装图请参照 ROHM 原厂数据手册以获得精确引脚排列和焊盘尺寸)

五、典型应用场景

  • 电源电压范围广的系统:电池供电、汽车电子(非安全关键)、工业控制器
  • 门控逻辑、条件合成与互锁电路
  • 接口缓冲与电平处理(需按数据手册确认输入电压限制)
  • 低功耗逻辑控制单元、便携设备的控制信号生成

六、使用建议与注意事项

  • 器件支持宽电源电压,但在电路设计时应严格参照 ROHM 原厂数据手册的最大额定值与推荐工作区,避免输入或输出电压超过器件限值。
  • 输出驱动能力为典型 3.4 mA,若需驱动更大负载请加外部驱动器或缓冲级。
  • 传播延迟与负载电容相关;在高速或时间敏感应用中注意输入/输出的负载与布线电容。
  • 对静电敏感,贴片与焊接过程中注意防静电与热回流规范。

七、结论

BU4S11G2-TR 以其宽电压供电、超低静态电流和紧凑 SSOP-5 封装,适合在功耗受限且需兼顾多电压等级的应用中作为单路 2 输入与非门使用。欲获得完整电气特性、绝对最大额定值、引脚排列和封装尺寸,请参考 ROHM 官方 datasheet 与应用笔记。